传感器技术和应用 第4章 光电式传感器.ppt

第4章　光电式传感器 ;4.1 光电效应;4.1 光电效应 光电元件的理论基础是光电效应。 光可以认为是由一定能量的粒子（光子）所形成，每个光子具有的能量hγ正比于光的频率γ（h为普朗克常数）。 用光照射某一物体，可以看做物体受到一连串能量为hγ的光子所轰击。 物体材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。 ;4.1.1 外光电效应 光照射于某一物体上，使电子从这些物体表面逸出的现象称为外光电效应，也称光电发射。逸出来的电子称为光电子。 ??光电效应可由爱因斯坦光电方程来描述： ;4.1.2 内光电效应 光照射于某一物体上，使其导电能力发生变化，这种现象称为内光电效应，也称光电导效应。 硫化镉、硒化镉、硫化铅、硒化铅等在受到光照时均会出现电阻下降的现象。 电路中反偏的PN结在受到光照时也会在该PN结附近产生光生载流子（电子-空穴对）。 利用上述现象可制成光敏电阻，光敏二极管，光敏三极管，光敏晶闸管等光电转换器件。;4.1.3 光生伏打效应 在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏打效应。 具有该效应的材料有硅、硒、氧化亚铜、硫化镉、砷化镓等。 例如，当一定波长的光照射PN结时，就产生电子-空穴对