《数字电子技术》第9章半导体存储器.ppt

* 33 * 9 ROM的方框图表示方法 9.2.3 可编程只读存储器(PROM) 9.2.4 可擦除可编程只读存储器（EPROM） 叠栅MOS管 1. EPROM的结构和工作原理 存储单元多采用N沟道叠栅MOS管（SIMOS）, SIMOS管可以利用浮栅是否积累有负电荷来存储二值数据。浮栅是不带电的，须在SIMOS管的漏、栅极加上足够高的电压（如25V），使漏极及衬底之间的PN结反向击穿，产生大量的高能电子,电子穿过很薄的氧化绝缘层堆积在浮栅上，从而使浮栅带有负电荷。当移去外加电压后,浮栅上的电子没有放电回路，能够长期保存。当用紫外线或X射线照射时，浮栅上的电子形成光电流而泄放，从而恢复写入前的状态。照射一般需要15至20分钟。 2. 常用EPROM芯片 （1）常用的EPROM 举例——?2716 11条地址输入线, 7条用于行译码，4条用于列译码 8位数据线。编程写入时是输入线，正常读出时是输出线。 （2）常用的EPROM 举例——2764 标准28脚双列直插EPROM 2764逻辑符号 正常使用时，VCC=+5V、VIH为高电平，即VPP引脚接+5V、 引脚接高电平，数据由数据总线输出。在进行编程时， 引脚接低电平，VPP引脚接高电平（编程电平+25