WM_NP8205Mr_E南麟原厂规格书.pdf免费

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2020-03-20 发布于广东
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NP8205 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP8205 uses advanced trench technology to D1 D2 provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in G1 G2 other Switching application. General Features S1 S2  VDS =20V,ID =6.5A RDS(ON)=14.6mΩ (typical) @ VGS 4.5V Marking and pin assignment RDS(ON)=18.4mΩ (typical) @ VGS 2.5V  High power and current handing capability SOT23-6L  Lead free product is acquired 55(Topview)  Surface mount package 00 33 Application S1 1 6 G1 33 8 11  Battery protection 2 55 D1/D2 0 2 5 D1/D2  Load switch 33  Power management 22 S2 3 5 4 G2