阈值电压和电流.pptxVIP

第1页/共46页长沟道MOS器件模型3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析3.1.2 MOS晶体管电流方程3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性3.2.3 MOS交流模型3.2.4 MOS晶体管的特征频率第2页/共46页MOS晶体管的结构MOS晶体管的结构第3页/共46页MOSFET的输入、输出特性曲线第4页/共46页Closed (on) (Gate = ‘1’)Open (off) (Gate = ‘0’)RonSwitch Model of NMOS TransistorGate| VGS |Source(of carriers)Drain(of carriers)| VGS | | VT || VGS | | VT |第5页/共46页MOS晶体管阈值电压分析G VGS + DS- n+n+depletion regionn channelp substrateB阈值电压的定义： 使源端半导体表面达到强反型的栅压，是区分MOS器件导通和截止的分界点。 半导体表面达到强反型的栅压-- VT第6页/共46页1、阈值电压公式(假设NMOS源端和衬底接地) VFB对应半导体平带电压Vox对应栅氧化层上的压降 对应半导体表面耗尽层上的压降阈值电压：耗尽层压降－表面势第7页/共46页G VGS + DS- n+n+depletion regionn ch