MEM2301XG-N_E2.0微盟原厂规格书.pdf

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2020-03-20 发布于广东
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MEM2301XG-N P-Channel MOSFET MEM2301XG-N General Description Features MEM2301XG-N Series P-channel enhancement  -20V/-2.8A mode field-effect transistor , These miniature surface RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@-1.1A = 230mΩ mount MOSFETs utilize High Cell Density process. RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-2.0A = 140mΩ Low RDS(ON) assures minimal power loss and RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-3.1A = 96mΩ conserves energy, making this device ideal for use in  High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance power management circuitry. Typical applications  Fast switching speed are lower voltage application, power management in  High performance trench technology portable and battery-powered products such as  Low thermal impedance copper lead frame computers, printers, and PCMCIA cards, cellular and  Subminiature surface mount package:SOT23 cordless telephones. 5 Pin Configuration Typical Application 0 3  Power management 3  Load switch 1  Battery protection 5 3 2 8 3 1 : L L A Absolute Maximum Ratings (TA = 25℃ unless otherwise noted)