安大《模拟电子技术基础》课程各章复习题.docVIP

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  • 2020-03-25 发布于浙江
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安大《模拟电子技术基础》课程各章复习题.doc

模拟电子技术第1章习题 本征半导体是一种_完全纯净的、结构完整的半导体晶体,在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_掺杂浓度_,而少数载流子的浓度则与_本征激发 有很大关系。 半导体的电荷载流子的浓度越高,其电导率就越高。本征半导体的导电率随温度的增加而增加。 根据本征半导体中掺入杂质性质的不同可分为 P(或空穴)型半导体和N(或电子)型半导体。 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 在本征半导体中加入少量 五价 元素可形成N型半导体,加入 三价 元素可形成P型半导体。 在P型半导体中,空穴 是多数载流子,自由电子 是少数载流子。 在N型半导体中,自由电子 是多数载流子,空穴 是少数载流子。 在半导体中由于电场作用而导致载流子的运动称为 漂移 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电,其中 空穴 带正电,而 自由电子 带负电。 PN结加正向电压时,空间电荷区将 变窄 PN结加反向电压时,空间电荷区将 变宽 PN结在无光照、无外加电压时,结电流为 零。 PN结的基本特点是 单向导电性。 当外加电压使PN结的P区电位高于N区电位时,称为PN结_正向_偏置。 PN结正向偏置时产生的电流主要是 扩散电流,PN结反向偏置时产生的电流主要是 漂移电流。 PN结的反向击穿有 雪崩击穿 和 齐纳击穿。 PN结的电容效应有 扩散电容

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