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热壁外延（ HWE）在导电玻璃上生长 GaAs薄膜 引 言 目前，太阳电池应用最大的障碍就是成本高， 世界商品化生产的 太阳电池主要是单晶硅、 多晶硅和非晶硅电池。 其中非晶硅电池成本 较低，但功率衰减严重，性能不够稳定，至今未能很好解决。单晶硅 和多晶硅电池的转换效率高、 性能稳定、 工艺比较成熟， 但因所用的 单晶硅和多晶硅均为间接带隙材料， 对光的吸收系数较低， 需要较大 的厚度才能有效吸收太阳光， 材料的费用相对较高， 成本难以大幅度 降低。 以国产单晶硅太阳电池在昆明地区 （太阳能辐射资源中偏上）发 电为例，按系统价 45 元/Wp 计算，寿命 20 年，其发电成本为 1.45 元/kWh，与昆明市电价 0.4 元/kWh 相比，成本仍然过高，加之建成 太阳能发电站的初期投资大，这便成为地面推广应用的巨大障碍。 本文主要阐述 GaAs薄膜太阳电池的