半导体物理学 第二章_半导体中的杂质和缺陷.pptVIP

. 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半导体 杂质激发 3. 杂质半导体 电子从价带直接向导带激发，成为导带的自由电子，这种激发称为本征激发。只有本征激发的半导体称为本征半导体。 本征激发 N型和P型半导体都是杂质半导体 施主向导带提供的载流子 =1016～1017/cm3 》 本征载流子浓度 杂质半导体中杂质载流子浓度远高于本征载流子浓度 Si的原子浓度为1022～1023/cm3 掺入P的浓度/Si原子的浓度=10-6 例如：Si 在室温下，本征载流子浓度为1010/cm3， 上述杂质的特点： 施主杂质： 受主杂质： 浅能级杂质 杂质的双重作用： 改变半导体的导电性 决定半导体的导电类型 杂质能级在禁带中的位置 4. 浅能级杂质电离能的简单计算 + - 施主 - + 受主 浅能级杂质=杂质离子+束缚电子（空穴） 类氢模型 玻尔原子电子的运动轨道半径为： n=1为基态电子的运动轨迹 玻尔能级： 玻尔原子模型 类氢模型 氢原子中电子能量 n=1,2,3……，为主量子数，当n=1和无穷时 氢原子基态电子的电离能 考虑到正、负电荷处于介电常数ε=ε0εr的介质中，且处于晶格形成的周期性势场中运动，所以电子的惯性质量要用有效质量代替 类氢模型：计算束缚电子