第4章--正弦波振荡器.ppt

下图是一些常见振荡器的高频电路, 读者不妨 自行判断它们是由哪种基本线路演变而来的。 电容三点式的改进型“西勒振荡器”如图所示 二、 晶体振荡器电路1、并联型晶体振荡器密勒振荡器 图4．4．4是场效应管密勒振荡电路。 石英晶体作为电感元件连接在栅极和源极之间, ＬＣ并联回路在振荡频率点等效为电感, 作为另一电感元件连接在漏极和源极之间, 极间电容Ｃgd作为构成电感三点式电路中的电容元件。由于Ｃgd又称为密勒电容, 故此电路有密勒振荡电路之称。  密勒振荡电路通常不采用晶体管, 原因是正向偏置时高频晶体管发射结电阻太小, 虽然晶振与发射结的耦合很弱, 但也会在一定程度上降低回路的标准性和频率的稳定性, 所以采用输入阻抗高的场效应管。  二、 晶体振荡器电路1、并联型晶体振荡器密勒振荡器 二、 晶体振荡器电路2、串联型晶体振荡器 串联型晶体振荡器是将石英晶振用于正反馈支路中, 利用其串联谐振时等效为短路元件, 电路反馈作用最强, 满足振幅起振条件, 使振荡器在晶振串联谐振频率ｆs上起振。图（ａ）给出了一种串联型单管晶体振荡器电路, （ｂ）是其高频等效电路。 这种振荡器与三点式振荡器基本类似, 只不过在正反馈支路上增加了一个晶振。Ｌ, Ｃ1 , Ｃ2和Ｃ3组成并联谐振回路而且调谐在振荡频率上。 4.5 石英晶体振荡器 串联谐振时： 石英晶体等效为电阻 此时f1=fq晶体谐振频率 晶体等效为电阻 4.5压 控 振 荡 器 4.６集成电路振荡器 4.6 章末小结 4.5.1变容二极管 变容二极管是利用ＰＮ结的结电容随反向电压变化这一特性制成的一种压控电抗元件。变容二极管的符号和结电容变化曲线如图4．5．1所示。 变容二极管结电容可表示为:  Cj= 其中ｎ为变容指数, 其值随半导体掺杂浓度和ＰＮ结的结构不同而变化, Ｃj（0）为外加电压u＝０时的结电容值, UB为ＰＮ结的内建电位差。 变容二极管必须工作在反向偏压状态, 所以工作时需加负的静态直流偏压－UQ。若交流控制电压uΩ为正弦信号, 变容管上的电压为:  u=-(UQ+uΩ)=-(UQ+Uωm cos Ωt) 代入式(4.5.1), 则有: Cj= 其中静态结构电容 结电容调制度 4.5.2变容二极管压控振荡器 将变容二极管作为压控电容接入ＬＣ振荡器中, 就组成了ＬＣ压控振荡器。一般可采用各种形式的三点式电路。  需要注意的是, 为了使变容二极管能正常工作, 必须正确地给其提供静态负偏压和交流控制电压, 而且要抑制高频振荡信号对直流偏压和低频控制电压的干扰, 所以, 在电路设计时要适当采用高频扼流圈、旁路电容、隔直流电容等。  无论是分析振荡器还是压控振荡器都必须正确画出振荡器的直流通路和高频振荡回路。对于后者, 还须画出变容二极管的直流偏置电路与低频控制回路。 例4.6说明了具体方法与步骤。  例 4.6画出图例4.6(a)所示中心频率为360MHz的变容二极管压控振荡器中晶体管的直流通路和高频振荡回路, 变容二极管的直流偏置电路和低频控制回路。  解: 画晶体管直流通路, 只需将所有电容开路、 电感短路即可, 变容二极管也应开路, 因为它工作在反偏状态, 如图(b)所示。  画变容二极管直流偏置电路, 需将与变容二极管有关的电容开路, 电感短路, 晶体管的作用可用一个等效电阻表示。 由于变容二极管的反向电阻很大, 可以将其它和它相连的电阻作近似处理。如本例中变容二极管的负端可直接与15 V电源相接, 见图(c)。  画高频振荡回路与低频控制回路前, 应仔细分析每个电容与电感的作用。对于高频振荡回路, 小电容是工作电容, 大电容是耦合电容或旁路电容, 小电感是工作电感, 大电感是高扼圈。 当然, 变容二极管也是工作电容。保留工作电容与工作电感, 将耦合电容与旁路电容短路, 高扼圈开路, 直流电源与地短路, 即可得到高频振荡回路, 如图(d)所示。正常情况下, 不需画出电阻。  判断工作电容和工作电感, 一是根据参数值大小, 二是根据所处的位置。电路中数值最小的电容(电感)和与其处于同一数量级的电容(电感)均被视为工作电容(电感), 耦合电容与旁路电容的值往往要大于工作电容几十倍以上, 高扼圈的值也远远大于工作电感。 另外, 工作电容与工作电感是按照振荡器组成法则