第4章 主存储器新讲解.pptVIP

31 3. EDO DRAM ? 扩充数据输出（ extended data out 简称 EDO ），它在完成当前内存 周期前即可开始下一内存周期的 操作 , 因此能提高数据带宽或传输 率 。 32 4. 同步 DRAM （ SDRAM ） ? 具有新结构和新接口的 SDRAM 已被广泛应用 于计算机系统中、它的读写周期（ 10n ～ 15ns ） 比 EDO DRAM （ 20ns ～ 30ns ）快，取代了 EDO DRAM 。 ? 典型的 DRAM 是异步工作的，处理器送地址和 控制信号到存储器后，等待存储器进行内部操作 （选择行线和列线读出信号放大并送输出缓冲器 等），因而影响了系统性能。而 SDRAM 与处理 器之间的数据传送是同步的，在系统时钟控制下 ，处理器送地址和控制命令到 SDRAM 后，在经 过一定数量（其值是已知的）的时钟周期后， SDRAM 完成读或写的内部操作、在此期间，处 理器可以去进行其他工作，而不必等待之。 33 ? 5.Rambus DRAM(RDRAM) ? 该芯片采取垂直封装，所有引出针都从一边 引出，使得存储器的装配非常紧凑。它与 CPU 之间传送数据是通过专用的 RDRAM 总 线进行的，而且不用通常的 RAS,CAS,WE 和 CE 信号。 Rambus