半导体二极管三极管来料检验规程.pdf

. 电子元器件来料检验规程（一） 半导体晶体管部分 1 内容 本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。 2 范围 本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验和验收。 3 引用标准 GB2828.1-2003 计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限（ AQL）检索的逐批检验 抽样计划 GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 总则 GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程 试验 Cb：恒定湿热试验方法 GB2421 电工电子产品基本环境试验规程 试验 N：温度变化试验方法 GB4798.1 电工电子产品应用环境条件 贮存 4 检验测试设备和测试方法 测试设备： DW4824型晶体管特性图示仪（或 QT2型晶体管特性图示仪等） 测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置 数字万用表、不锈钢镊子等应手工具 晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。 人员素质： 能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试， 工作态度 严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。 测试准备： 晶体管特性图示仪每次开启， 必须预热五分钟。 检查确认图示仪的技术状态完好方能进 行测试。 每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装 尺寸应符合订货要求。 4.1 绝缘栅 N 沟道双极晶体管 IGBT 主要测试参数： IGBT 的特性曲线 CES IGBT 的饱和压降 V IGBT 的栅极阈值电压 VGE （th ） CER IGBT 的击穿电压 V 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 4.1.1 测 IGBT 的输出特性曲线 按附表 1 “常规测试 / 输出特性曲线”栏、测 IGBT 的要求，调整晶体管特性图示仪各选 择开关的档位。正确连接相应的 IGBT 测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测 的 IGBT，图示仪即显示一簇该 IGBT 的输出特性曲线。 该线簇应均匀、 平滑、 无畸变， 为合格 （如图 1a 所示）。否则为不合格 （如图 1b 所示）。 . . 图 1 4.1.2 测 IGBT 的饱和压降 VCES 在特性曲线中选择 VGE=4.5V 的一条曲线，它与 I C=7.0A 直线的交点所对应的 VC 电压值 GE C CES 就是所测试的 IGBT 在 V =4.50V 、 I =7.0A 时的饱和压降 V 。 CES V ＜ 3.0V 为合格。否则为不合格。 4.1.3 测 IGBT 的转移特性曲线 按附表 1 “常规测试 / 转移特性曲线”栏、测 IGBT 的要求调整晶体管特性图示仪各选择 开关的档位。正确连接相应的 IGBT 测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的 IGBT，图示仪即显示一簇该