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《数字逻辑与电路》 2011.11.20 存储单元矩阵 D D 0 当 CS =0 时，芯片选通 = 1 打开 1 5.5.1 输入 / 输出控制电路 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 存储单元矩阵 D D 当 CS =0 时，芯片选通 = 0 打开 写操作 1 打开 5.5.1 输入 / 输出控制电路 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 5.6 RAM 存储容量的扩展 ? 单个存储器芯片常常不能满足存贮容量的要求， 因此必须把若干个存储器芯片连接在一起，以 扩展存储容量； ? 存储器的字数通常采用 K 、 M 或 G 为单位，其中 1K=2 10 =1024 ， 1M=2 20 =1024K ， 1G=2 30 =1024M ； ? 扩展存储容量分为 增加字长 和 增加字数 两种。 请见 P259 习题 5 5-3 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 5.1 半导体存储器的类型： 1. 只读存储器 ROM( Read-Only memory) ROM PROM EPROM E 2 PROM FEPROM 2. 随机存取存储器 RAM （ Random Access Memory ） SRAM DRAM 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 5.2 只读存储器（ ROM ） （ 1 ）从制造工艺上分： 二极管 ROM 、双极型 ROM 、单极型 ROM 5.2.1 ROM 的类型： 1 1 A B Ucc Y 0 Y 1 Y 2 Y 3 B A Y ? 2 B A Y ? 1 B A Y ? 0 AB Y ? 3 特点： 电路简单 可靠性高 抗干扰能力强 存储内容固定 容量小 功耗较大 Y=Y 3 Y 2 Y 1 Y 0 当 AB=00 时， Y=0100 当 AB=01 时， Y=0010 当 AB=10 时， Y=0001 当 AB=11 时， Y=1000 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 5.2 只读存储器（ ROM ） （ 2 ）按内容存入方式： ? 固定 ROM ，又称为掩膜 ROM ? 可编程 ROM ： PROM 一次可编程存储器； EPROM ：光可擦除可编程存储器； E 2 PROM ：电可擦除可编程存储器； Flash Memory ：快闪存储器。 5.2.1 ROM 的类型： 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 （ 1 ） PROM 结构示意图（编程前） 熔丝连通代表 1 或 门 矩 阵 4 × 4 Bit PROM 5.2.2 ROM 的工作原理 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 （ 2 ） EPROM 存储数据的基本原理 ? 采用浮栅技术生产的可编程存储器 ? 存储单元采用 N 沟道叠栅 MOS 管 (SIMOS) P 型衬底 N + N + 浮栅 控制栅极 源极 漏极 没有外引 线的栅极 电写入，光擦除 5.2.2 ROM 的工作原理 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 （ 3 ） E 2 PROM 存储数据的基本原理 ? 采用浮栅技术生产 的可编程存储器， 也称为隧道 MOS 管； ? 可重复擦写 10000 次以上； ? 电写入电擦除 P 型衬底 N + N + 浮栅 控制栅极 源极 漏极 隧道 5.2.2 ROM 的工作原理 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 （ 4 ）快闪（ Flash) 存储器基本原理 ? 这种存储单元的 MOS 管结构与 SIMOS 管类似 P 型衬底 N + N + 浮栅 控制栅极 源极 漏极 P 型衬底 N + N + 浮栅 控制栅极 源极 漏极 SIMOS 更宽 更薄 5.2.2 ROM 的工作原理 《数字逻辑与电路》 2011.11.20 5.2.3 ROM 的结构 ? ROM 的组成： 存储矩阵 地址译码器 输出控制电路 ? 3 类总线： 地址线 数据线 控制线 行列选择数据 存储矩阵 输出控制电路 数据输出 地址译码器 地址输入 控制