半导体材料与特性知识分享.pptVIP

Semiconductor Materials and Diodes;半導體材料與特性 (1/25);週期表依價電子數而排列 第四族之矽與鍺為元素半導體 砷化鎵為三五族的化合物半導體;半導體內之電流 自由電子流動 電洞流：價電子獲得能量而流動至 鄰近的的空位如同正電荷反向移動。 能隙能量Eg：破壞共價鍵的最低能量 能隙能量在3-6 eV者為絕緣體，由於室溫之下幾乎沒有自由電子存在，反之為導體 半導體的數量級約為1 eV (=1.6×10-19焦耳) ;能帶圖觀念(a) EV為價電帶最高能量 EC為導電帶最低能量 Eg= EV - EC 兩能帶間為禁止能隙 電子無法在禁止能隙中存在 (b)顯示傳導電子產生過程 電子獲得足夠能量從價電帶躍遷到導電帶;本質半導體 電子及電洞濃度為半導體材料特性之重要參數，因其直接影嚮電流之大小 本質半導體 無其他物質在晶格內之單一晶格半導體材料 電子與電洞之密度相同，因皆由熱產生 本質載子濃度 B為常數，與特定之半導體材導有關 Eg與溫度之關係不重 k為Boltzmann常數=86×10-6 eV/°K ;Example 1.1：T=300 °K求矽之本質載子濃度 解：代入公式即可 結果為1.5×1010 cm-3，雖不小，但比起原子濃度5×1022 cm-3則很小;外質半導體 加入雜質 本質半導體的電子電洞濃度相當小，僅可有微量電流。適當地加