热处理原理与工艺.pptxVIP

热处理原理与工艺;联系方式;第1次课;; 材料科学的发展历史;;;;;1.3 热处理的发展概况;;1.4 本课程的主要内容，学习的意义，目的，方法;;;第一章 奥氏体的形成;;;1.1.3 奥氏体形成的热力学条件;图2-4 以0.125℃/min加热和冷却时，Fe-C相图中临界点的移动 ;1.1.4 奥氏体的形成机理 奥氏体的形成为形核长大、扩散型相变 奥氏体的形成过程可分成四个阶段： （1）奥氏体的形核 （2）奥氏体的长大 （3）渗碳体的溶解 （4）奥氏体的均匀化;图2-5 奥氏体形成的四个阶段;（1）奥氏体的形核; 形核位置 鉴于相变对成分、结构以及能量的要求，晶核将在α/Fe3C相界面上优先形成，这是由于： ①相界面形核，可以消除部分晶体缺陷而使体系的自由能降低，有利于相变对能量的要求。 ②相界面两边的碳浓度差大，较易获得与新相奥氏体相适配的碳浓度，况且碳原子沿界面扩散较晶内为快，从而加速了奥氏体的形核。 ③相界面处，原子排列较不规则，易于产生结构起伏，从而由BCC改组成FCC。 ;（2）奥氏体的长大;图2-7 相界面上的碳浓度及扩散; 由于 γ/Fe3C相界面的碳浓度差 ?Cγ?k 较大，Fe3C本身复杂的晶体结构，使得奥氏体向渗碳体方向的长大速度远比向铁素体方向为小，所以铁素体向奥氏体的转变比渗碳体的溶解要快得多，铁素体先消失，而渗碳体有剩余。;（3）剩余