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第六章 MOS场效应晶体管 半导体器件物理 电子与信息学院 主要内容 一、MOSFET的基本结构 二、MOSFET的工作原理 三、MOSFET的直流特性曲线 四、MOSFET的种类 五、MOSFET的电容与频率特性 六、MOSFET的技术发展 半导体器件物理 电子与信息学院 随着集成电路设计和制造技术的发展，目前大部 分超大规模集成电路都是MOS集成电路。在数字集 成电路，尤其是微处理机和存储器方面，MOS集成 电路几乎占据了绝对的位置。 此外，MOS在一些特种器件，如CCD（电荷耦合器 件）和敏感器件方面应用广泛。 半导体器件物理 电子与信息学院 促进MOS晶体管发展主要有以下四大技术： (a)半导体表面的稳定化技术 (b)各种栅绝缘膜的实用化 (c)自对准结构MOS工艺 (d) 阈值电压的控制技术 半导体器件物理 电子与信息学院 6.1 MOSFET的基本结构 MOS场效应晶体管的结构 MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半 导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两 个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一 个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝 作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 半导体器件物理 电子与信息学院 MOS场效应晶体管是四端器件。 D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。 B(substrate),衬底极。 通常接地，有时为了控制电流或由 于电路结构的需要，在衬底和源之 间也加一个小偏压(VBS)。 若栅极材料用金属铝，则称“铝栅”器件； 若栅极材料用高掺杂的多晶硅，则称“硅栅”器件。目前绝 大部分芯片生产厂家是采用“硅栅”工艺。 半导体器件物理 电子与信息学院 ＋ 对NMOS晶体管，源和漏是用浓度很高的N 杂质扩散 而成。在源、漏之间是受栅电压控制的沟道区，沟 道区长度为L，宽度为W。 对于NMOS，通常漏源之间加偏压后，将电位低 的一端成为源，电位高的一端称为漏，电流方 向由漏端流向源端。 半导体器件物理 电子与信息学院 6.2 MIS结构 （1 ） 表面空间电荷层和反型层 表面空间电荷层和反型层实际上属于半导体表面 的感生电荷。 MIS结构上加电压后产生感生电荷的四种情况。 半导体器件物理 电子与信息学院 以P半导体的MIS结构为例。 • 当栅上加负电压，所产生的感生电荷是被吸引到表面的多子 （空穴），在半导体表面形成积累层。 • 当栅上加正电压，电场的作用使多数载流子被排斥而远离表 面，从而在表面形成由电离受主构成的空间电荷区，形成耗 尽层。此时，虽然有少子（电子）被吸引到表面，但数量很 少。这一阶段，电压的增加只是使更多的空穴被排斥走，负 空间电荷区加宽。 • 随着正电压的加