CMOS的制造(工艺)流程.pdfVIP

CMOS反相器的制造工 艺流程 院系：交通科学与工程学院 学号 : 姓名 ： 姬勃 2013 年 12 月 9 日 摘 要： 虽然集成电路制造工艺在快速发展 ,但始终都是以几 种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS反相器的主要工 艺流程 ,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程 1.1 CMOS反相器 介绍 CMOS反相器由一个 P 沟道增强型 MOS 管和一个 N 沟道增强型 MOS管串联组成。通常 P 沟道管作为负载管， N 沟道管作为输入 管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个 晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高， 因为与 NMOS型和 PMOS型反相器相比， CMOS反相器的电阻 相 对较低 1.1工作原理 两个 MOS管的开启电压 V 0， V 0，通常为了保 GS(th)P GS(th)N 证正常工作，要求 VDD|V GS(th)P|+V GS(th)N 。若输入 vI 为低电平 (如 。若输入 v 为 0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近 VDD I 高电平 (如 VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近 0V。 综上所述，当 v 为低电平时 v 为高电平； v 为高电平时 v I o I o 为低电平，电路实现了非逻辑运算，是非门 ——反相器。 1.1 CMOS的制造流程 CMOS 是集成电路的最基本单元，它的制作流程可分为前段和后段，前段 流 程主要完成元件的制作，包括组件隔离区的形成、阱的植入、栅极的制成、 LDD 的植入、源极和漏极的制成。后段流程主要完成元件之间的互连，包括第 一层金 属的制成、第二层金属的制成、保护层和焊垫的制成。以 0.25 微米制 程为例， 具体分为以下步骤。 1.1.1 组件隔离区的形成 1. 初始清洗 初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方 法将在晶圆表面的 尘粒，或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的制程造成影响，使得组件无 法 正常工作。表 2.1 是半导体制程中所用到的标准清洗步骤。 表 2.1 半导体制程中所用到的标准清洗步骤 步 清洗温 骤 化学溶剂 度 清除之污染物 2 4 2 2 1 H SO +H O (4:1) 120 ℃