硅压阻式微传感器的制造工艺研究.pdfVIP

硅压阻式压力微传感器的设计与制 造工艺研究 指导老师：来五星 作 者：张勇杰 潘 挺 周 晶 张晶渝 魏 佳 易伟铭 杨 昆 硅压阻式压力微传感器的设计与制造工艺 研究 摘要：硅压阻式压力传感器是最早开始研究并实用化的微传感器之 一，它结构简单、体积小、成本低、应用范围广，且已经实现大批量 生产，在某些领域已经取代传统传感器。 进一步研制小体积高精度的 微传感器， 扩大其适用范围是未来的趋势。 本文首先叙述了压阻式压 力微传感器的原理和设计方法， 然后针对硅压阻式压力微传感器的制 造，给出了两种不同的制造工艺流程， 并接着对其优缺点进行了横向 比较，以期优化该种传感器的工艺。 关键词：微传感器；压阻式；制造工艺；设计 一、引言 压力传感器是用来测量流体或气体压力， 大规模生产的计量或传 感单元。传统的压力传感器体积大、笨重、输出信号弱、灵敏度低。 应用微电子技术， 在单晶硅片的特定晶向上， 制成应变电阻构成的惠 施顿电桥， 同时利用半导体材料的压阻效应和硅的弹性力学特性， 用 集成电路工艺和微机械加工技术研制固态压阻压力传感器， 它们具有 体积小、灵敏度高、动态特性好、耐腐蚀和灵敏度系数好等优点。 二、压阻式压力微传感器原理 图 2-1 硅杯式压力传感器原理结构 由图 2-1 可知，当压力作用于微型硅膜片上时，硅膜片将发 生弯曲和内应变（应力） 。基于硅的压阻效应，当其内应变化时， 必将引起相应的电阻变化。当压力 P 按图示方向作用在膜片上， 桥路上的压敏电阻 R1 和 R3 的值增加， R2 和 R4 的值将下降。 若桥路由恒压压源 V8 供电时，其输出电压 V0 可用下式表示， 即： V S pV （2-1 ） 0 p s 或写成： S V0 1 （2-2 ） p p Vs 式中， S 称为压力灵敏度。 p 式（2-2 ）表明，输出电压与被测压力成正比，测量 V0 ，即 可得被测的对应压力 p 。因为电阻变化通常在 0.01%~0.1%量级， 故电桥输出电压很小，需要配置放大电路。 图 2-2 给出测量 3 种压力的原理方案：图（ a）是测量绝对压 力的；图（ b）是测量差压的；图（ c）是测量表压的。 图 2-2 硅压阻式压力微传感器测量原理方案 三、 压阻式压力微传感器的设计 压力传感器的设计，就是为得到线性度好、灵敏度高、输出 稳定性好的传感器而进行力学结构的选择、晶向和晶面的选择， 掩模版图的设计和工艺参数的设计等。 1、材料的选择 压力传感器硅杯材料的选择是极为重要的，