半导体物理 试题 答案.pdfVIP

****大学二零 至二零 学年第 学期期 考试 半导体物理 课程考试题卷 （ 100 分钟） 考试形式： 闭卷 考试 日期 2011 年 11 月 15 日 课程成绩构成：平时 分， 期中 分， 实验 分， 期末 分 复 核 合 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 人 计 签 名 得 分 签 名 得 分 一、选择填空 （每空1.5分，共40分） 1、在硅和锗的能带结构中，价带1对应的有效质量 （ A ），称该能带 中的空穴为 ( C ) 。 1 2 A. 大； B. 小； C. 重空穴； D. 轻空穴 2 、一块半导体寿命τ 10µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突 然停止20µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的 （ C ）。 2 A. e ； B. 1/e ； C. 1/e ； D. 1/2 3、铋的原子半径和电负性分别为0.146nm和1.9，磷的原子半径和电负性 分别为0.110nm和2.1。在磷化镓材料中，铋取代部分磷，这会在磷化 镓中出现 （ B ），铋将俘获 （ D ）。 A. 复合中心； B. 等电子陷阱； C. 电子 D. 空 穴； 4. 能带中电子有效质量定义为 （ B ），在能带顶部附近 （ D ）零，与 内层电子相比，外层电子有效质量 （ F ）。 2 2 2 2 2 2 A 、＝hk/m * B 、＝h / （d E/dk ） C、1/ ＝h / （d E/dk ） n D 、 E 、 E 、 更大 F 、 更小 5、中等掺杂的硅和砷化镓以 （ B