电子行业标准 SJT 11707-2017 硅通孔几何测量术语.pdfVIP

ICS 31.020 L04 SJ 备案号： 中华人民共和国 电子行业标准 SJ/TXXXX—XXXX 硅通孔几何测量术语 Terminologyforthroughsiliconviageometricalmetrology （报批稿） 201X-XX-XX发布 201X-XX-XX实施 中华人民共和国工业和信息化部 发 布 SJ/TXXXX—XXXX 前  言 本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由全国半导体器件标准化技术委员会集成电路分技术委员会归口。 本标准主要起草单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所、天水华天科技股份有限公司、中国 电子科技集团公司第五十八研究所。 本标准主要起草人：侯芳、郁元卫、吴昊、王文岩、吴维丽。 I SJ/TXXXX—XXXX 硅通孔几何测量术语 1 范围 本标准规定了硅通孔尺寸的几何测量术语和定义。 本标准适用于硅通孔尺寸的几何测量，其中硅通孔可完全贯穿硅晶圆，也可部分贯穿硅晶圆；硅 通孔内可含有金属导体及其他介质，也可不包含金属导体及其他介质。 玻璃通孔尺寸的几何测量也可参考本标准。 2 术语和定义 2.1 硅通孔(TSV) throughsiliconvia(TSV) 位于硅晶圆上，且起始于硅晶圆上表面的通孔或凹坑，其中： a) 硅通孔可以完全贯穿整个晶圆深度，也可部分贯穿整个晶圆深度； b) 孔内可填充金属导体，也可不填充金属导体； c) 孔壁在导体与硅之间含有绝缘层、阻挡层等，也可不包含绝缘层、阻挡层等。 2.2 晶圆上表面 wafer topsurface 硅通孔的初始位置即硅通孔开始刻蚀位置处的晶圆表面。 该表面界定为晶圆水平方向，其正交线定义为垂直方向。图1为位于晶圆上表面的硅通孔示意图， 图2为位于晶圆上的硅通孔剖面示意图。 图1 晶圆表面的硅通孔示意图 1 SJ/TXXXX—XXXX 图2 硅通孔剖面示意图 2.3 晶圆下表面 wafer bottomsurface 与晶圆上表面相背的晶圆表面，如图2 所示。 2.4 面积 area 硅通孔在特定水平面截面处的几何面积。图1 中硅通孔的面积为深色覆盖部分的面积。 2.5 顶部面积 toparea 硅通孔在晶圆上表面的面积。 2.6 深度 depth 从晶圆上表面垂直向晶圆下表面方向测量，位于晶圆上表面到硅通孔最深点的垂直距离，如图2 所示。 2.7 中间深度 intermediatedepth 晶圆上表面至某一选定层的距离，该距离小于硅通孔的深度，如图2 所示。 2.8 贯穿深度 fulldepthTSV 硅通孔从晶圆上表面贯穿至晶圆下表面的深度，即晶圆上表面和晶圆下表面之间的垂直距离，如 图2 所示。