太阳能硅片车间实习总结.ppt

实习总结;前后清洗工艺;工艺原理;Etch Bath 反应式： HNO3+Si=SiO2+NOx+H2O SiO2+ HF=SiF4+H2O SiF4+HF=H2[SiF6] 在RENA机台中，循环利用HF/HNO3溶液浸泡刻蚀硅片，其影响因素包括滚轮速度，溶液浓度，溶液温度！ 由于底面与溶液接触更充分，通常以底面为绒面。;Rinse 1 用于清洗杂质，以及从Etch Bath中残存的酸。 Alkaline Rinse 反应式： Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2 中和片子表面的酸，去除表面 生成多孔硅。 Rinse 2 用于清洗杂质，以及从碱槽 中残存的碱。 ;Acidic Rinse HF去除硅片表面氧化层，形成疏水表面；HCL去除硅片表面金属杂质，中和表面残留的碱。 SiO2+ HF=SiF4+H2O SiF4+HF=H2[SiF6] Rinse 3 用于清洗杂质，以及从酸槽 中残存的酸。 Dryer 2 用于风干硅片，两把风刀，上下吹风，并左右摆动。 ;检验参数 1.Etch Depth＝（前重－后重)*8.82um/g 每400片抽检4片，多晶控制在4-5um，单晶在4-4.8um。 2.反射率－－控制在27以下 3.外观要求－－无明显斑迹，无残留药液，无明显反光。;影响因素;附：碱式流程;设备相关;;RENA机台软体操作 ;F4-Proc.values 当前程式的一些重要参数设定，如Etch Bath的setpoint siliconentry for replenish, setpoint volume for replenish。 F5-Trend 记录了Etch Bath，Alkaline的历史温度，包括Setpoint Temp, Etch Bath Temp, Incomming Temp, Prepping Temp, Alkaline Temp，以及对应的趋势图！;F6-Replenish 向Etch Bath，Alkaline，Acidic中补充药液，DI WATER,用于调节溶液浓度，以处理一些异常！ F7-Recipe 当前使用程式的参数设定，包括滚轮转速，风刀功率，以及生产过程中药液的自动补充；还可以载入，编辑程式！ F8-Manual 包括一些手动操作指令，包括清洗bath，换药！ F9-Service 此菜单是设备用于维护的！;操作细节;太阳能电池原理 工艺原理 设备结构及软体 程式设定 影响因素;太阳能电池的核心是一个PN结。 PN结是不能简单地用两块不同类型（p型和n型）的半导体接触在一起就能形成的，必须是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。 ;PN结形成原理 PN结的形成是由于在晶体中一部分区域是P型杂质占优势，而另一部分区域是N型杂质占优势，这样在交界处空穴就会从P型区域向N型区域扩散，自由电子从N型区域向P型区域扩散。 相互扩散的结果就是形成电场方向由N型指向P型的空间电荷区，阻止相互扩散。当两者达到平衡时，空间电荷区的宽度就稳定下来。 ;光电效应 光照射到某些物质上，引起物质的电性质发生变化，这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。 光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏打效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。 太阳能电池所依据的就是光生伏打效应，即在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。 ;光生伏打效应 光照射PN结时，若hυ≧电离能，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。 太阳能电池即根据光生伏打效应工作的！ ;扩散的定义及作用 扩散是由于存在浓度差的原因，扩散物质从浓度高的区域向浓度低的区域运动！ 扩散的作用是用于形成PN结，所以扩散是电池片工艺流程中最核心的一道工序！ 扩散的方法 扩散工序是在P型硅片的单面掺入磷，从而形成PN结。目前有三种方法，如下： １．三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 ２．喷涂磷酸水溶液后链式扩散 ３．丝网印刷磷浆料后链式扩散 目前公司采用第一种方法。 ;三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 反应式： 生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。所以通入O2，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）。 工艺流程 由N2作为携源气体，将POCL3带入石英炉管，并通入N2,O2反应生成P2O5,P2O5与Si反应生P,并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。 ;检验参数 1.方块电阻--平均值在50±10Ω/□范围内 每炉等间距抽检5片，每片检测5点，要求其平均值在50±10Ω/□范围内。 2.外观要求