低压电器标准规范：GB13539_4_92.docVIP

PAGE ICS 29.120.50 K 31 FORMTEXT GB 13539.4—92 FORMTEXT 　　　　 FORMTEXT 低 压 熔 断 器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 FORMTEXT Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices FORMTEXT 1992-07-01 发布 FORMTEXT 1993-03-01 实施 GB 13539.4—92 PAGE 10 PAGE 1 FORMTEXT 中华人民共和国国家标准 FORMTEXT GB 13539.4—92 低 压 熔 断 器 半导体器件保护用熔断体的补充要求 Low-voltage fuses Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices FORMTEXT 国家质量技术监督局 1992-07-01 批准 1993-03-01 实施 本标准参照采用国际标准IEC 269-4（1986）《低压熔断器 半导体器件保护用熔断体的补充要 求》。 本标准应与GB 13539.1—92《低压熔断器 基本要求》一起使用。除非本标准另有说明，半导体器件保护用熔断体，还应符合GB 13539.11的规定。 1 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I2t特性、电弧电压特性、试验和标志。 本标准适用于交流额定电压不超过1 200V或直流额定电压不超过1 500V的电路中具有半导体器 件的设备上使用的熔断体。 注：① 在多数情况下，以组合设备的一部分作为熔断体的底座。由于设备种类繁多，难以作出一般的规定。组合设 备是否适合用作熔断体的底座，应由用户与制造厂协商。但是，当采用独立的熔断器底座或支持件时，则它 们应符合GB 13539.1的有关规定。 ② 这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。 2 引用标准 GB 321 优先数和优先数系 GB 13539.1 低压熔断器 基本要求 术语、符号、代号 3.1 术语 3.1.1 半导体器件 semiconductor device 基本特性是由于载流子在半导体中流动引起的一种器件。 3.1.2 半导体熔断体 semiconductor fuse-link 在规定条件下，能够分断7.2范围内的任何电流值的一种限流熔断体。 注： GB 13539.1中术语：“（熔断体的）使用类别”本标准不适用。 3.2 符号 τ时间常数 4 分类 GB 13539.1的规定不适用。 5 特性 5.1 熔断体 电弧电压特性。 5.2 额定电压 若有特殊需要，用户可与制造厂协商，按GB 321中R5或R10系列选取。 5.3 额定频率 额定频率是指与性能数据有关的频率。 5.4 熔断体的额定耗散功率 除GB 13539.1中的规定外，制造厂还应规定耗散功率与50%～100%额定电流的函数关系或规定 50%，63%，80%和100%额定电流时的耗散功率。 注：若需知道熔断体的电阻值时，此电阻值应根据耗散功率与电流的函数关系来确定。 5.5 时间-电流特性的极限 5.5.1 时间-电流特性、时间-电流带 熔断体的时间-电流特性随设计而改变，对于给定的熔断体，则与周围空气温度和冷却条件有关。 制造厂应按8.2规定的条件，提供周围空气温度为20～25℃时的时间-电流特性。时间-电流特性是弧前时间-电流特性和在额定频率时，以电压为参数的熔断时间-电流特性。 直流的时间-电流特性是按表4规定的时间常数时的特性。 对于某些使用场合，特别是对于高的预期电流（时间较短），可以用I2t特性来代替时间-电流特性或同时规定I2t特性和时间-电流特性。 5.5.1.1 弧前时间-电流特性 对于交流：弧前时间-电流特性应以额定频率时的交流有效值表示。 注：在额定频率时的10个周波左右时间与实际上处于绝热状态很短的时间之间