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Magnetotransport properties of self-assembled GaAs antiwire in InGaAs matrix on (100) InP substrates * * 結構 我們的樣品是由交通大學所提供的，是由 MBE 所成長出來的，總共有有兩塊(LM4405，LM4406)，其結構如下圖 LM4405：單純只有二維電子系統，在實驗中是屬於對照組用的 LM4406：在二維電子系統下3nm處，延基板 的方向長出細細的量子線段 為了驗證量子線段的實體形貌,我們另外在別的基板表面上，用同樣的方法長出量子線段後，使用 AFM 撿測，其結果在下面Quantum wire AFM 圖中，證實了我們所製造出來的結構 abstract We will report the study of the effect of the GaAs antiwire on the mobility of two-dimensional electron gas mobility and density. The sample is an InGaAs/InAlAs hetero-structure modulation-doped. We use the lock-in technique to measure the mobility and density at the temperature from 11K to 295K in a cryogenic close cycle system. The mobility is dependence on the direction of the antiwire and is not isotropic. Y.T.Sunga(宋育泰), W.S.Juanga(莊武軒), Z.C.Linc(林志昌), L.C.Lia(李良箴), W.H.Hsiehb(謝文興), Y.W.Suena(孫允武), and C. P. Leec(李建平) a Department of Physics, National Chung Hsing University, Taichung, Taiwan, R.O.C. b Department of Electronic Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan, R.O.C. c Department of Electronic Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, R.O.C. 配置 整個實驗的配置如下圖，我們是使用鎖相放大器提供樣品電流源，再提供一個與樣品表面垂直的可變磁場 B ，使用兩台鎖相放大器分別測量導電電壓 Vxx 與霍爾電壓 Vxy ，再把這樣的裝置放入變溫裝置 Close-cycle 中，藉由每個定點溫度下改變磁場測量到的 Vxx 與 Vxy ，經計算後可以得到變溫的二維電子系統載子濃度(Density,n)與遷移率(Mobility,u) ，為了得到更低溫的數據，我們將一樣的配置搬到He3低溫系統下，得到一組溫度為 0.3K 的數據 Air S.I. InP substrate 500 nm i-InAlAs 100 nm i-InGaAs 40 nm i-InAlAs 40 nm n-InAlAs 5e17cm-3 20 nm i-InGaAs LM4405 – 結構如上圖，紅色虛線部份為 2D 異質接面，其接面會產生二維電子系統 Lm4406 – 在2D異質接面下 3 nm 處長 4 ML InAs,其會形成延 方向產生量子線段 霍爾平台製程 我們要將樣品加工成可以量霍爾效應的平台，由於過去做的都是做不具方向性的測量，但這次樣品具有方向性，因此我們使用同時有不同方向的光罩來做，其製造過程大致上分成兩部分 Omhic contect：利用半導體光微影技術,經過上光阻曝光顯影後，用蒸鍍機鍍上導電層金與金鍺，接著使用丙酮將不要的地方舉離，剩下需要的歐姆接點(Omhic contect)圖形，再進入高溫爐將導電金屬燒到與樣品的二維電子系統層接通 Mesa etching：一樣的上光阻曝光顯影，將不要的二微電子系統的地方，使用蝕刻液蝕刻掉，將剩餘的光阻洗掉後就剩下我們要給二微電子氣體所走的路徑，最終結果如下的立體結構圖 最後我們可以得到兩個方向的霍爾平台， A 為電流方向與量子線段垂直的測量平台， B 為電流方向與量子線段平行的測量平台，圖中的量子線段為示意圖，實際狀況是相當細小的 數據與結果 我們使用 close-cycl