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- | 2009-10-30 颁布
- | 2010-06-01 实施
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国家标准 GBT 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法.pdf
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中华人 民共和 国国家 标准
/ —
犌犅犜1551 2009
代替 / — 、 / —
GBT1551 1995GBT1552 1995
硅单晶电阻率测定方法
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犵 狔 狔
20091030发布 20100601实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发 布
中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会
/ —
犌犅犜1551 2009
前 言
本标准修改采用 《硅片电阻率测定四探针法》和 《硅棒电阻
SEMIMF841105 SEMIMF3971106
率测定两探针法》。
本标准与 和 相比,主要变化如下:
SEMIMF841105 SEMIMF3971106
———中厚度修正系数 ( /)表格范围增加;
F犠 犛
———按中文格式分直排四探针法、直流两探针法进行编排。
本标准代替 / — 《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和 / — 《硅、锗
GBT1551 1995 GBT1552 1995
单晶电阻率测定直排四探针法》。
本标准与 / — 和 / — 相比,主要有如下变化:
GBT1551 1995 GBT1552 1995
———删除了锗单晶测定的相关内容;
———用文字描述代替了原标准 / — 和 / — 中的若干记录测试数据的
GBT1551 1995 GBT1552 1995
表格;
———修改了直排四探针法中计算公式;
———补充了干扰因素。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位:信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研
究所。
本标准主要起草人:李静、何秀坤、张继荣、段曙光。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
——— — 、 — 、 — 、 — 、 — ;
GB1552 1979GB1551
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