IGBT的发展与应用.docVIP

IGBT的发展与应用 周志敏 (莱芜钢铁集团公司动力部,山东莱芜271104) 摘? 要：介绍中压大功率整流器件的发展和主流结构，重点分析IGBT器件的结构特点和最新发展动向，讨论IGBT器件应用中应注意的具体技术问题。 1概述??? 电力电子器件的发展经历了晶闸管（SCR）、可关断晶闸管（GTO）、晶体管（BJT）、绝缘栅晶体管（IGBT）等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电子器件相比，IGBT具有高可靠性、驱动简单、保护容易、不用缓冲电路和开关频率高等特点，为了达到这些高性能，采用了许多用于集成电路的工艺技术，如外延技术、离子注入、精细光刻等。要提高功率MOSFET的耐压能力，势必增加高导通电阻，从而妨碍器件在高电压、大电流范围的应用。针对这些缺陷，20世纪80年代诞生了功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）器件，20世纪90年代初进入实用化。近几年来，功率IGBT的性能提高很快，额定电流已达数百安培，耐压达1500V以上，而且还在不断提高。由于IGBT器件具有PIN二极管的正向特性，P沟功率IGBT的特性不比N沟IGBT差多少，这非常有利于在应用中采取互补结构，从而扩大其在交流和数字控制技术领域中的应用。??? 目前，应用在中压大功率领域的电力电子器件，已形成GTO、IGCT、OGBT、IEGT相互竞争不断创新的技术市场，在大功