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PVD（物理气相沉积）薄 膜工艺及设备介绍 赵德胜 1 主要内容 ?一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?二 PVD薄膜沉积各种方式的比较 ?三 PVD薄膜沉积中常见问题 ?四 PVD薄膜的表征 ?五 纳米加工平台现有设备介绍 2 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?在半导体行业PVD主要用于金属化 ?物理气相沉积（Physical Vapor Deposition, PVD)技术：表示在真空条件下，采用物理方 法，将材料源－固体或液体表面气化成气体原 子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体 （或等离子体）过程，在基体表面沉积具有特 殊功能薄膜的技术。 3 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ? PVD技术的分类 物理气相沉积（PVD） 真空蒸镀 电子束（EB）蒸发 热蒸发 溅射镀膜 直流溅射 射频溅射 脉冲直流溅射 离子镀 4 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?真空蒸镀 ?真空蒸镀是将镀料在真空中加热、蒸发，使蒸 发的原子或原子团在温度较低的基板上凝结， 形成薄膜。 ?热蒸发、EB蒸发。 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?热蒸发原理及特点 ?热蒸发是在真空状况下，将所要蒸镀的材料 利用电阻加热达到熔化温度，使原子蒸发， 到达并附着在基板表面上的一种镀膜技术。 ?特点：装置便宜、操作简单广泛用于Au、Ag、 Cu、Ni、In、Cr等导体材料。 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?E-beam蒸发原理 ?热电子由灯丝发射后，被加速阳极加速，获得 动能轰击到处于阳极的蒸发材料上，使蒸发材 料加热气化，而实现蒸发镀膜。 ?特点：多用于要求纯度极高的膜、绝缘物的蒸 镀和高熔点物质的蒸镀 电子束 熔融的 蒸镀源 水 水冷 坩埚 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?溅射镀膜 ?溅射－用带有几十电子伏以上动能的粒子或粒 子束照射固体表面，靠近固体表面的原子会获 得入射粒子所带能量的一部分进而向真空中放 出，这种现象称为溅射。 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?溅射镀膜 ?磁控溅射－电子在电场的作用下加速飞向基片 的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩 离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的 作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子 ，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成 膜。 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?什么是辉光放电？ ?辉光放电是指在稀薄气体中，两个电极之间加 上电压时产生的一种气体放电现象。 10 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?直流溅射：适用于金 属材料 ?射频溅射：是适用于 各种金属和非金属材 料的一种溅射沉积方 法 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?脉冲溅射：一种用于消除直流反应溅射 中异常放电技术。 ?反应溅射：在溅射过程中，在工艺气体 中混入活性气体，在溅射过程中发生反应 生成氧化物、氮化物等的溅射方式。 12 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ?离子镀：在真空条件 下，利用气体放电使 气体或蒸发物质离化 ，在气体离子或被蒸 发物质离子轰击作用 的同时，把蒸发物或 其反应物蒸镀在基片 上。 ?离子镀把辉光放电、 等离子体技术与真空 蒸发镀膜技术结合在 一起 一 PVD薄膜沉积的基本原理 ? 物理气相沉积技术基本原理的三个过程 ? 镀料的气化 ? 镀料原子、分子或离子的迁移 ? 镀料原子、分子或离子在基体上凝结 14 二 PVD薄膜沉积各种方式的比较 ?真空蒸镀、溅射镀膜和离子镀的比较 方法 优点 缺点 真空 工艺简便，纯度高，通 蒸镀化合物时由于热分解现象 蒸镀 过掩膜易于形成所需要 难以控制组分比，低蒸气压物 的图形 质难以成膜 溅射 附着性能好，易于保持 需要溅射靶，靶材需要精制， 镀膜 化合物、合金的组分比 而且利用率低，不便于采用掩 膜沉积 离子 附着性能好，化合物、 装置及操作均较复杂，不便于 镀 合金、非金属均可成膜 采用掩膜沉积 15 三 PVD薄膜沉积中常见问题 ?如何提高PVD薄膜 的粘附性 ?基片的预处理 9 水洗 9 有机溶剂清洗 9 超声波清洗 9 蚀刻 三 PVD薄膜沉积中常见问题 ?镀膜前对基片进行离子轰击 三 PVD薄膜沉积中常见问题 ?镀膜时的加热 ?衬底和膜之间加 入接触金属（Cr、 Ni、Ti、W等） 三 PVD薄膜沉积中常见问题 ? 如何在大台阶表面沉积厚度均匀的 薄膜 三 PVD薄膜沉积中常见问题 ?基片与蒸发源间的距离 ?镀膜时的压力 ?基片加偏压 四 PVD薄膜的表征 ?PVD薄膜的表征 ?电学性能：四探针 ?粘附性：划痕法 ?内应力：X射线衍射法 ?膜厚：台阶仪 ?表面粗糙度：AFM 21 五 纳米加工平台现有设备介绍 ?磁控溅射－LAB18 22 五 纳米加工平台现有设备介绍 ?LAB18系统组成 抽真空系 控制系统 电源 加热 真空腔体 冷却系统 五 纳米加工平