半导体物理第三章半导体中载流子的统计分布.doc

第三章 半导体中载流子的统计分布 Part 1 第三章 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计规律 3.3 电子和空穴浓度的一般表达式 3.4 本征半导体的载流子浓度 3.5 杂质半导体的载流子浓度 3.6 杂质补偿半导体 3.7 简并半导体 3.1 状态密度 ? 状态密度g(E) g = ( E ) dZ(E) dE 表示在能带中能量E附近单位能量间隔内的量子态数。 dZ 为E到E+dE内的量子态数 ? 计算状态密度的方法： 1、k空间的量子态密度 2、dZ或Z(E) dZ=k空间量子态密度×能量间隔对应的k空间体积 Z(E)=k空间量子态密度×能量为E的等能面在k空间的体积 一、导带底附近的状态密度 1、k空间的量子态密度 k 对于边长为L的立方晶体，波矢 的三个分量为： n n n k ,k ,k x = = y z = 即( ， ， ) k x k z k x z L L y y L nx ,n ,n 其中 取 0，±1，±2… y z 1 1 每一个代表点都与体积为 的一个小 = L3 V 立方体相联系 即 空间中，电子的状态密度是V k 若考虑电子的自旋，量子态密度是2V。 一、导带底附近的状态密度 2、求dZ或Z ①等能面为球面： 2 2 1 h k 假设导带底在k=0，即 E = + (k) EC * 2 m n 以 k 为半径的球面对应E，以 k + d