材料电学性能教学文稿.ppt

第四部分 材料的电学性能; 材料的电学性能用处很多，我们一定要学会材料的导电机理、影响因素以及它们的测量方法并运用到实际生产中，让我们的生活更加丰富多彩。;本章讲授的内容;第一节 导电性能;;1.1.3 根据材料导电性能好坏，可把材料分为：;一、导电材料;二、绝缘材料;三、半导体材料;1.2 导电机理 △;1. 金属导电的经典电子理论的基本框架;;3. 金属中的自由电子在电场中的运动;4.从金属的电子理论导出欧姆定律的微分形式;则平均漂移速度;5. 金属的经典电子理论的缺陷;1.2.1.2 量子自由电子理论;运动着的电子作为物质波，其频率和波长与电子的运动速度或动量之间有如下关系：;1.没加电场时E-K关系曲线;2.电场对E-K关系曲线的影响;3.量子自由电子理论电阻的产生;4. 量子自由电子理论导出的电导率;根据能量按自由度均分原理，晶格振动时的平均势能与绝对温度成正比，即有：;5. 量子自由电子理论的局限性;1.2.1.3 能带理论 △;金属晶格中原子很密集，能组成许多分子轨道，而且相邻的分子轨道间的能量差别很小。;同自由电子理论一样，也认为金属中的价电子是公有化和能量是量子化的，所不同的是，它认为金属中由离子所造成的势场不是均匀的，而是呈周期性变化的，能带理论就是研究金属中的价电子在周期势场作用下的能量分布问题的。;由于周期场的影响，使得价电子在金属中以不同能量状态分布的能带发生分裂，也就是说，有些能态是电子不能取值的。;由右图可以看到： 当-K1K K1时，曲线按抛物 线规律连续变化； 当K=?K1时，只要波数稍微增 大，能量便从A跳到B，存在 能隙； 同样，当K= ?K2时，也存在 能隙。;3. 能带理论的术语;;（1）导体;实际上由于最高能带可能发生重叠，对大多数金属或导体而言最上层的能带相重叠是很普通的情形。;现在考虑这样一种物质，该物质中的最高能带即价带是满的，而且不与下一个全空的能带重叠( 见图10-6）。;以上同样的能带图也适用于硅和锗，但是在原子的平衡间距下价带与导带之间的能隙要小得多( 在硅中为 1.1 eV，在锗中为 0.7 eV )，于是要将价带中最上面的电子激发到导带内时就容易得多了。图10-7 中示出这种情况。;一、本征半导体;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;共价键共 用电子对;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;在绝对0度（T=0K）和没 有外界激发时,价电子完全 被共价键束缚着，本征半 导体中没有可以运动的带 电粒子（即载流子），它 的导电能力为 0，相当于 绝缘体。;;电子和空穴在外电场的作用下都将作定向运动，这种作定向运动电子和空穴（载流子）参与导电，形成本征半导体中的电流。 ;当温度升高时，有更多的电子能够跳到下一个能带去。这有两个结果：在上面的导带中少数电子所起的作用和它们在金属中所起的作用相同；而价带中留下的空态即空穴起着类似的作用，不过它们好象是正的电子，因此，它们有来自导带中的激发电子和来自价带中的空穴的导电性；温度升高时，由于有更多的电子被激发到导带， 所以电导率随温度而迅速增加。;（3）本征半导体的能带结构;①电子和空穴总是成对出现的------本征激发。 电子和空穴也可以复合而消失。 ②本征半导体在外电场的作用下，形成两种电流------空穴电流和电子电流，外电路的总电流等于两种电流的代数和。 ③电子--空穴对的数目对温度、光照十分敏感。 ④本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。;二、杂质半导体;1、N 型半导体;（1）由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。;如果我们把若干施主原子磷或砷原子加进硅或锗中，则每有一个杂质原子，就有一个额外电子。这些额外的电子(它们不能被容纳在原来结晶体的价带中)占有恰在导带下方的某些分立的能级（施主能级），离导带只差0.05ev,大约为硅的禁带宽度的5%，因此它比满带中的电子容易激发的多 ( 图10-9 a )。;（1）在本征半导体中掺入三价元素的原子（受主杂质）而形成的半导体。 ;如果我们把若干受主杂质原子硼或铝加进硅或锗中，这两种原子都只贡献3个电子。在这种情况下，杂质引进空的分立能级（空穴能级或受主能级）。这些能级的位置很靠近价带顶，只差0.045ev，价带中的电子激发到空穴能级上比越过整个禁带（1.1ev）到导带容易得多( 图10-9 b )。;因此，容易把价带中一些具有较高能量的电子激发到杂质能级上。这个过程在价带中产生空态即空穴。如前面所述，这些电子起