第9章IC工艺薄膜物理淀积技术.pptxVIP

第九章：薄膜物理淀积技术;Metal Layers in a Chip;Multilevel Metallization on a ULSI Wafer;Copper Metallization;9.1.薄膜沉积的特点：pages 296 微电子技术中的薄膜种类繁多，一般都不能（也不需要）形成与衬底晶格匹配的晶体。形成非晶或多晶薄膜即可（但要求其界面的应力足够小）。其生长的过程大致为： 晶核形成、晶粒成长、晶粒聚结、逢道填补、成积膜成长。;;;晶粒自由能对成核的影响： 临界半径—表面能的约束 界面亲和能对成核的影响： 浸润湿夹角—界面键的形成 晶粒间界的形成与多晶膜的生长： 杂质的影响： 非晶膜的形成： （Si非晶膜、多晶膜和外延层的形成）;9.2.几种物理沉积（PVD）方法 1）热阻加热蒸发镀膜 常规真空系统： （Ch 12） ;油扩散泵原理:(P.245); 无油真空系统： ;分子泵;低温吸附泵;;溅射离子泵 （Ti升华泵）;真空的测量 9.4, 热偶规 电离规 ;坩埚: 与蒸发材料的粘润性和互溶度 钨、刚玉等 P302~303;;;;优点与缺点： 系统简单、可蒸镀各种材料、易做厚膜 纯度不够高、镀膜速率不易控制、均匀性较差（星型夹具） 平衡蒸气压： 合