硅稳压二极管伏安特性曲线.pdf

姚春明 实验原理 1、稳压二极管伏安特性描述 2CW56 属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于 1N4007 型二极管，其反向特性 变化甚大。当 2CW56 二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值 ≤0.5 。随着反向偏置电压的进一步增加，大约到 7－8.8V 时，出现了反向击穿（有意参 杂而成），产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化。只要在 线路中，对 “雪崩 ”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电 压仍然是稳定的 （变化很小）。这就是稳压二极管的使用基础， 其应用电路见图 3－1。图中， E—供电电源， 如果二极管稳压值为 7～8.8V ，则要求 E 为 10V 左右；R— 限流电阻，2CW56 ， 工作电流选择 8mA ，考虑负载电流 2 mA ，通过 R 的电流为 10 mA ，计算 R 值： E Vz 10 8 R= I = 0.01 =200 C— 电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。 VZ — 稳压输出电压。 图 3 －1 稳压二极管应用电路 2、实验设计 图 3 －2 稳压二极管反向伏安特性测试电路 1) 2CW56 反向偏置 0～7V 左右时阻抗很大，拟采用电流表内接测试电路为宜；反向偏 - 1 - 姚春明 置电压进入击穿段，稳压二极管内阻较小（估计为 R=8/0.008=1K ），这时拟采用电流表外 接测试电路。结合图 3 －1，测试电路图见图 3－2 。 实验过程 电源电压调至零， 按图 3 －2 接线，开始按电流表内接法， 将电压表＋端接于电流表＋端； 变阻器旋到 1100 后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据。 当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明 2CW56 已开始进入反向击穿过程， 这时将电流表改为外接式，按表 3 －1 继续慢慢地将电源电压增加至 10V 。为了继续增加 2CW56 工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电 压。 数据记录 2CW56 稳压二极管正向伏安特性 U(V) 0 0.2 0.3 0.4 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.78 电流表 内接 内接法 法 I 0 0 0 0.01 0.07 0.17 0.3 0.63 0.9 11.9 17.3 （mA） U(V) 0 0.2 0.3 0.4 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.76 电流表 外接 外接法 法 I 0 0 0 0.03 0.1 0.3 0.5 0.8 1.5 16.4 19.5 （mA） 2CW56 稳压二极管反向向伏安特性 U(V) 0 2 4 6 7 7.5 7.6 7.7 7.8 7.9 7.95 电流表 内接法 内接法