二极管击穿理解的误区.pdf

其实初学者对于二极管击穿的问题， 有时候会有一个误区， 我就有过这样的情况。 尤其当我 们看到二极管击穿电压可达到 1000V 甚至可能更高的时候，有些人可能会产生这样一个疑 问：我们了解到 硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.8V ，锗二极管的正向导通压降约为 0.2~0.3V ，而为什么，其击穿电压可以达到 1000V 呢？ 对于这个问题我们先了解一下二极管的一些特性 1、二极管的正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服 PN 结内电场的阻挡 作用， 正向电流几乎为零， 这一段称为死区。 这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电 压。当正向电压大于死区电压以后， PN 结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增 大而迅速上升。 在正常使用的电流范围内， 导通时二极管的端电压几乎维持不变， 这个电压 称为二极管的正向电压。 当二极管两端的正向电压超过一定数值， 内电场很快被削弱， 电流 迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为 0.5V，锗管约为 0.1V 。 硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.8V ，锗二极管的正向导通压降约为 0.2~0.3V。 2 、二极管的反向性 外加反向电压不超过一定范围时， 通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。 由于反向电流很小， 二极管处于截止状态。 这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流， 二 极管的反向饱和电流受温度影响很大。 一般硅管的反向电流比锗管小得多， 小功率硅管的反 响饱和电流在 nA 数量级，小功率锗管在 μA 数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数 载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 击穿 外加反向电压超过某一数值时， 反向电流会突然增大， 这种现象称为电击穿。 引起电击穿的 临界电压称为二极管反向击穿电压。 电击穿时二极管失去单向导电性。 如果二极管没有因电 击穿而引起过热， 则单向导电性不一定会被永久破坏， 在撤除外加电压后， 其性能仍可恢复， 否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。 二极管是一种具有单向导电的二端器件， 有电子二极管和晶体二极管之分， 电子二极管因为 灯丝的热损耗， 效率比晶体二极管低， 所以现已很少见到， 比较常见和常用的多是晶体二极 管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中， 都要用到半导体二极管， 它在许多 的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降 0.7V，锗管正向管压降为 0.3V，发 光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。 主要有三种颜色， 具体压降参考值如下： 红 色发光二极管的压降为 2.0--2.2V ，黄色发光二极管的压降为 1.8— 2.0V ，绿色发光二极管的 压降为 3.0— 3.2V，正常发光时的额定电流约为 20mA 。 如果仔细的话， 我们不难从二极管的反向性得出结论， 我们通常所说的二极管的击穿， 是指 反向击穿，注意一个词语，这是关键，就是“ 反向 ”，通常所说的击穿，都