GB/T 14863-2013用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法.pdf

ICS29.045 H 80 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT14863 2013 代替 / —1993 GBT14863 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系 测定硅外延层中净载流子浓度的方法 国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页 Methodfornetcarrierdensitinsiliconeitaxiallaersb voltae-caacitance y p y y g p ofatedandunateddiodes g g 2013-12-31发布 2014-08-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 / — GBT14863 2013 前 言 本标准按照 / — 给出的规则起草。 GBT1.1 2009 本标准代替 / — 《用栅控和非栅控二极管的电压 电容关系测定硅外延层中净载流 GBT14863 1993 - 子浓度的标准方法》。 / — , : 本标准与GBT14863 1993相比 主要有下列变化 ——— “ ”; 增加了标准的 前言 ———调整并增加了引用标准; ——— 、 ; 对试验条件 试验方法进行了简化和调整 ———对附录进行了调整。 国家标准ㅤ可打印ㅤ可复制ㅤ无水印ㅤ高清原版ㅤ去除空白页 Ⅰ / — GBT14863 2013 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系 测定硅外延层中净载流子浓度的方法 1 范围