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半导体分布反馈激光器 半导体分布反馈激光器是采用折射率周期变化的结构实现谐振腔反馈功能的半导体激 光器。这种激光器不仅使半导体激光器的某些性能（如模式、温度系数等）获得改善，而且 由于它采用平面工艺，在集成光路中便于与其他元件耦合和集成。 GaAs－GaAlAs 分布反馈 激光器已实现室温连续工作，阈值 3.4 ×103 安/ 厘米 2(320K)。282K 下得到的最大连续输出 功率为 40 毫瓦。 半导体分布反馈激光器 - 简介 采用折射率周期变化的结构实现谐振腔反馈功能的 半导体激光器。这种激光器不仅使半导体激光器的某些 性能（如模式、温度系数等）获得改善，而且由于它采 用平面工艺， 在集成光路中便于与其他元件耦合和集成。 1970 年采用双异质结的 GaAs－GaAlAs 注入式半导体激 光器实现了室温连续工作。与此同时，贝尔实验室 H.利 戈尼克等发现在周期结构中可由反向布喇格散射提供反 馈，可以代替解理面。在实验中，最初是把这种结构用 于染料激光器， 1973 年开始用于半导体激光器， 1975 年 GaAs 分布反馈激光器已实现室温连续工作。 半导体分布反馈激光器 - 原理 半导体分布反馈激光器的反馈结构是一种周期结构， 反馈靠反向布喇格散射提供 （见图）。 为了使正向波与反向波之间发生有效的布喇格耦合 ,要求光栅周期满足布喇格条件 :半导体分 布反馈激光器， 式中 λ0 是激射波长 ,Ng 是有效折射率， m ＝1、2、3 、…(相当于耦合级次 ) 。 对于 GaAs 材料 ,一级耦合 : Λ＝0.115 微米。 在实验中， 使用 3250 埃 He－Cd 激光和高折射率 棱镜 (nP=1.539)，已制出 Λ＝0.11 微米的周期结构（见半导体激光二极管） 。 1. 结构及工作机理 DFB激光器的激光振荡不是靠 F— P 腔来实现，而是依靠沿纵向等间隔分布的光栅所形 成的光耦合，如图 2— 81 所示。 图中光栅的周期为 A，称为栅距。 当电流注入激光器后，有源区内电子——空穴复合，辐射出能量相应的光子，这些光 子将受到有源层表面每一条光栅的反射。 在 DFB激光器的分布反馈中， 此时的反射是布拉格 发射，光栅的栅条间入射光和反射光的方向恰好相反。式（ 2— 108 ）将变为 (2 — 109) 满足上式的那些特定波长的光才会受到强烈反射，从而实现动态单纵模工作。式也称 为分布反馈条件（一般 m取 1）。 半导体分布反馈激光器 - 材料和泵浦方式 制作半导体分布反馈激光器的材料有 GaAs-GaAlAsIn、P-InGaAsP、Pb1-xSnxTe和 CdS等。 非半导体材料的分布反馈激光器主要采用染料作为活性介质。 泵浦方式主要采用电注入， 也 采用光泵和电子束激励。 半导体分布反馈激光器 - 结构 半导体分布反馈激光器有多种结构， 如同质结、单异质结、双异质结、 光和载流子分别 限制异质结、 沟道衬底平面结构、 具有横向消失场分布反馈的沟道衬底平面结构、 隐埋异质 结、具有横向消失场分布反馈的条形隐埋异质结等。 周期结构有的是做在激光器表面， 有的 是在激光器内部的界面， 有的则在衬底上。 周期结构做在内部界面的激光器， 一般需要二次 液相外延， 或采用液相外延与分子束外延结合的办法；