国家标准GB_电力半导体器件用钨圆片.pdfVIP

JB/T 9687.2-1999 前 言 本标准在ZBK46014-89基础上，根据目前电力半导体器件的发展需要，对以下内容作了修订: l钨片直径增加100mm品种，部分直径增加了厚度规格。 2 表2中总崩边数和端面缺陷数量从原来的小于等于10提高至小于等于5 本标准编写规则按GB/T1.1-内93规定。 本标准的附录A是标准的附录。 本标准自实施之日起代替ZBK46014-890 本标准首次发布于 1989年3月30日。 本标准由西安电力电子技术研究所提出并归口。 本标准由西安电力电子技术研究所负责起草。 本标准主要起草人:杜纪梅、蓝筱屏。 中华 人 民共 和 国机械 行业 标 准 JB/T 9687.2一 1999 电力半导体器件用钨圆片 代替 ZBK46014-89 Tungstendiskforpowersemiconductordevices 1 范围 本标准规定了钨圆片的外形尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、包装、运输、贮存和标志 本标准适用于电力半导体器件用粉末直接成型的钨圆片 (以下简称钨片) 2 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引川而构成为本标准的条文。在标准出版时，所示版本 均为有效。所有标准都会被修汀，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的of能性 GB/T1958-1980形状和位置公差检测规定 GB/T3875-1983 钨板 GB/T4196-1984钨铂条密度测定方法 GB/T4324-1984 铂化学分析方法 JB/T9687.1-1999‘电力半导体器件111铂10]片 3外形尺寸及精度 钨片的}I.径 、厚度及精度应符合图1和表 !的规定 图1 钨片外形图 4 技术要求 4.1 外观 钨片表面应无肉眼可见的沟槽 、划痕 、污迹及水迹。 4.2 钨片的表面质量应符合图 1及表2的规定 国家机械工业局 1999-08-06批准 2000-01-01实施 147 JBIT 9687.2一 1999 表 1 m m 直径 一 “ 厚度 xkf 一 D H { D H 38 一} (2.5).2.8(3.0) 40 2.0 65 (25).2.8(3.0) 42 2.0 }} (2.5),10 45 一}} 2.5.3.0 43 2.5 76.2 2.5,(3.0) 50 2.5,(3.0)