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4.1名词解释（a）弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷；（b）刃型位错和螺型位错 （c）类质同象与同质多晶解：（a）当晶体热振动时，一些能量足 够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中，形成间隙原子，而原来位置上形成空位，这种缺陷称为弗伦克尔缺陷。如果正常格点上原子，热起 伏后获得能量离开平衡位置，跃迁到晶体的表面，在原正常格点上留下空位，这种缺陷称为肖特基缺陷。（ b）滑移方向与位错线垂直的位错称为刃型 位错。位错线与滑移方向相互平行的位错称为螺型位错。（ c）类质同象：物质结晶时，其晶体结构中部分原有的离子或原子位置被性质相似的其它离 子或原子所占有，共同组成均匀的、呈单一相的晶体，不引起键性和晶体结构变化的现象。同质多晶：同一化学组成在不同热力学条件下形成结构不 同的晶体的现象。 6-3名词解释（并比较其异同） ⑴晶子学说：玻璃内部是由无数 晶子”组成，微晶子是带有晶格变形的有序区域。它们分散在无定形介中质，晶子向无定形部分过渡是逐渐完成时， 二者没有明显界限。 无规则网络学说：凡是成为玻璃态的物质和相应的晶体结构一样，也是由一个三度空间网络所构成。这种网络是由离子多面体（三角体或四 面体）构筑起来的。晶体结构网是由多面体无数次有规律重复构成，而玻璃中结构多面体的重复没有规律性。 ⑵单键强：单键强即为各种化合物分解能与该种化合物配位数的商。 ⑶分化过程：架状［SiO』断裂称为熔融石英的分化过程。 缩聚过程：分化过程产生的低聚化合物相互发生作用，形成级次较高的聚合物，次过程为缩聚过程。 ⑷网络形成剂：正离子是网络形成离子，对应氧化物能单独形成玻璃。即凡氧化物的单键能 /熔点〉0.74kJ/mol.k者称为网络形成剂。 网络变性剂：这类氧化物不能形成玻璃，但能改变网络结构，从而使玻璃性质改变，即单键强 /熔点 0.125kJ/mol.k者称为网络变形剂。 5.1试述影响置换型固溶体的固溶度的条件。 解：1.离子尺寸因素:从晶体稳定性考虑，相互替代的离子尺寸愈相近，则固溶体愈稳定。若以 ri和r2分别代表半径大和半径小的两种离子的半径。 当它们半径差 耳 15%时，形成连续置换型固溶体。若此值在 15?30%时，可以形成有限置换型固溶体。而此值 30%时，不能形成固溶体。 2、 晶体的结构类型：形成连续固溶体的两个组分必须具有完全相同的晶体结构。结构不同最多只能生成有限固溶体。 3、 离子的电价因素：只有离子价相同或复合替代离子价总和相同时，才可能形成连续置换型固溶体。 4、 电负性因素：电负性相近，有利于固溶体的生成。 4.2试述晶体结构中点缺陷的类型。以通用的表示法写出晶体中各种点缺陷的表示符号。试举例写出 CaCI2中Ca2+置换KCI中K+或进入到KCI间隙 中去的两种点缺陷反应表示式。 解：晶体结构中的点缺陷类型共分：间隙原子、空位和杂质原子等三种。在 MX晶体中，间隙原子的表示符号为 Ml或XI;空位缺陷的表示符号为： VM或VX。如果进入MX晶体的杂质原子是A,则其表示符号可写成：AM或AX （取代式）以及Ai （间隙式）。 当CaCl2中Ca2+置换KCl中K+而出现点缺陷，其缺陷反应式如下： CaC^ =J〔+2Clc, CaCl2中Ca2+进入到KCl间隙中而形成点缺陷的反应式为： CaCl2 CaCl2 +2CIci 4.3在缺陷反应方程式中，所谓位置平衡、电中性、质量平衡是指什么？ 解：位置平衡是指在化合物 MaXb中，M格点数与X格点数保持正确的比例关系，即 M: X=a： b。电中性是指在方程式两边应具有相同的有效电荷。 质量平衡是指方程式两边应保持物质质量的守恒。 4.4 （a）在CaF2晶体中，肖特基缺陷的生成能为2.8ev,计算在25C和1600C时热缺陷的浓度。 （b）如果MgO晶体中，含有百万分之一 mol的YF3 杂质，则在1600C时，CaF3晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。 解：因为 n/N=exp （-?Gf/2kT） ?Gf=5.5 水602 10-19=8.817 10-19J T=1600+273=1873K TOC \o 1-5 \h \z 所以 n/N=exp （-8.817 10-19/2 1.38 M0-23 1873） = exp （-17.056） =3.9 10-8 （5 分） 在CaF2晶体中，含有百分之一的YF3杂质，缺陷方程如下： YF3 CaF2 Yea Fi 2Ff \o Current Document I I 此时产生的缺陷为Fi，［Fi ］=10-6大于热缺陷浓度3.9 M0-8，故在1873K时杂质缺陷占优势 或 2YF3 CaF2 2Yca Vca 6F， ） 欢迎下载 欢迎下载 PAGE # 此时产生的缺陷为