数字电子技术基础 第二章 门电路 课件.pptxVIP

第二章 门电路;本章内容;概述;半导体的开关特性;二极管的静态特性;;PN结的正向电阻很小，反向电阻很大，PN具有单向导电性 PN结V-I特性 ;PN节的动态开关特性 动态开关特性是指二极管由导通到截止，或由截止到导通，瞬变状态下的特性;三极管的开关特性;分立元件;二极管或门;三极管非门;TTL 非门电路; vi =VL=0.2V,T1发射级导通，导通后T1基极电压为0.7v +0.2v=0.9v , T2,T5截止，T2集电极为5V，T4导通。vo上电压为3.6 v，高电平; vi =VH=3.4V,T1发射级反偏，集电极正偏，工作在倒置放大状态， T2,T5导通后，T2工作在饱和状态，T5工作在深度饱和状态，T2 的C点电压为0.9v (0.7+0.2)v,T4 基极电压为1.4v ,T4截止，vo输出为0.2v ，低电平。 得到Y=A ;TTL反向器的外部特性;2 输入端噪声容限 在保证输出高电平，低电平基本不变的条件下，输入电平的允许 波动的范围。 从非门电压输入输出特性曲线，定义 VOHMIN ：输出高电平的下限，它对应在输入低电平的上限VILMAX VOLMAX：输出低电平的上限，它对应在输入低电平的下限VIHMIN 前一级门的输出为后一级门电路的输入，所以有 高电平噪声容限VHN= VOHMIN –VIHMIN;