杨素行 第三版 模拟电子技术基础简明教程课件 第一章.pptx

第一章　半导体器件;1.1　半导体的特性;硅原子结构;1.1.1　本征半导体 ;;1. 半导体中两种载流子;1.1.2　杂质半导体; 本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。;;二、 P 型半导体;说明：;1.2　半导体二极管;一、 PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;5. 扩散与漂移的动态平衡;二、 PN 结的单向导电性;　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。;空间电荷区;　　综上所述： 　　当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态；当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　可见， PN 结具有单向导电性。;1.2.2　二极管的伏安特性;半导体二极管的类型：;二极管的伏安特性;1. 正向特性;;3. 伏安特性表达式(二极管方程);结论：;1.2.3　二极管的主要参数;二极管规格表上列举的参数及说明;*1.2.4　二极管的电容效应;　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。;2. 扩散电容 Cd;综上所述：; 1.2.5　稳压管; 稳压管的参