电子元器件中的薄膜技术.pptxVIP

电子元器件中的薄膜技术 ;硅基集成电路;;;Ivy Bridge就要来了 ;;;;;;集成电路加工的基本操作;形成材料薄膜的方法; 当前的光刻技术，采用193nm曝光波长，可实现大于100nm线宽的图形。 下一代光刻技术，*157nm曝光，小于50nm线宽图形。 再下一代光刻技术，**126nm曝光。;0;光刻和刻蚀形成需要的图形;正胶和负胶的区别;掺杂改变材料的电阻率或杂质类型;典型的CMOS结构和工艺;;（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;2.工作原理;（2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用;MOS晶体管的平面结构和剖面结构;MOS晶体管的实际尺寸;MOS晶体管的类型;n阱CMOS工艺结构特点;n阱CMOS主要工艺步骤;;;早期的场区氧化工艺-非等平面;鸟嘴问题;场区寄生MOS晶体管;;;;深亚微米CMOS结构和工艺;相比常规CMOS结构主要改进;浅沟槽隔离;浅沟槽隔离抑制窄沟效应;外延双阱工艺;;双阱形成工艺;n＋、p＋两种类型的硅栅;采用MOS器件的存储器;;;化合物半导体器件;;;;薄膜电阻;薄膜电阻;薄膜电容;薄膜电感;编织结构型电感;编织结构型电感;螺旋线圈型薄膜电感;;之字形薄膜电感;薄膜SAW器件;SAW器件的应用;应用领域;1、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。五月-20五月-20Tuesday