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一步一步精通单端反激式开关电源设计 ———————————————————————————————— 作者： ———————————————————————————————— 日期： 一步一步精通单端反激式开关电源设计 TOC \o 1-3 \h \z \u 目录 TOC \o 1-3 \h \z \u ■系统应用需求 3 ■步骤1_确定应用需求 3 ■步骤2_根据应用需求选择反馈电路和偏置电压VB 4 ■步骤3_确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX，并基于输入电压和PO选择输入存储电容CIN的容量 6 3.1、选择输入存储电容CIN的容量 6 3.2、确定最小和最大直流输入电压VMIN和VMAX 9 ■步骤4_输入整流桥的选择 9 ■步骤5_确定发射的输出电压VOR以及钳位稳压管电压VCLO 10 ■步骤6_对应相应的工作模式及电流波形设定电流波形参数KP：当KP≤1时，KP=KRP;当KP≥1时，KP=KDP 14 ■步骤7_根据VMIN和VOR确定DMAX 16 ■步骤8_计算初级峰值电流IP、输入平均电流IAVG和初级RMS电流IRMS 16 ■步骤9_基于AC输入电压，VO、PO以及效率选定MOS管芯片 17 ■步骤10_设定外部限流点降低的ILIMIT降低因数KI 17 ■步骤11_通过IP和ILIMIT的比较验证MOS芯片选择的正确性 18 ■步骤12_计算功率开关管热阻选择散热片验证MOS芯片选择的正确性 18 ■步骤13_计算初级电感量LP 18 ■步骤14_选择磁芯和骨架，再从磁芯和骨架的数据手册中得到Ae，le，AL，和BW的参考值 19 ■步骤15_设定初级绕组的层数L以及次级绕组圈数NS（可能需要经过迭代的过程） 25 ■步骤16_计算次级绕组圈数NS以及偏置绕组圈数NB 26 ■步骤17_确定初级绕组线径参数OD、DIA、AWG 26 ■步骤18_步骤23-检查BM、CMA以及Lg。如果有必要可以通过改变L、NP或NS或磁芯/骨架的方法对其进行迭代，知道满足规定的范围 26 ■步骤24 –确认BP≤4200高斯。如有必要，减小限流点降低因数KI 27 ■步骤25 –计算次级峰值电流ISP 27 ■步骤26 –计算次级RMS电流ISRMS 27 ■步骤27 –确定次级绕组线径参数ODS、DIAS、AWGS 28 ■步骤28 –确定输出电容的纹波电流IRIPPLE 28 ■步骤29 –确定次级及偏置绕组的最大峰值反向电压PIVS,PIVB 28 ■步骤30 –参照表8，基于VOR及输出类型选择初级钳位电路中使用的钳位稳压管以及阻断二极管 29 ■步骤31 –根据表9选择输出整流管 29 ■步骤32 –输出电容的选择 29 ■步骤33 –后级滤波器电感L和电容C的选择 30 ■步骤34 –从表10选择偏置绕组的整流管 30 ■步骤35 –偏置绕组电容的选择 30 ■步骤36 –控制极引脚电容及串联电阻的选择 30 ■步骤37 –根据图3、4、5及6中所示的参考反馈电路的类型，选用相应的反馈电路元件 31 ■步骤38 –环路动态补偿设计 32 ■系统应用需求 交流输入最小电压：VACMIN，单位V 交流输入最大电压：VACMAX，单位V 交流输入电压频率：FL，单位HZ 开关频率：FS，单位KHZ 输出电压：Vo，单位V 输出电流：IO，单位A 电源效率：η 负载调整率：SI 损耗分配因子：Z 空载功率损耗：P_NO_LOAD，单位MW 输出纹波电压：VRIPPLE，单位MV ■步骤1_确定应用需求 ●交流输入最小电压：VACMIN ●交流输入最大电压：VACMAX 输入（VAC ） VACMIN（V） VACMAX（V） 宽电压范围 85 265 230或115倍压整流 195 265 自定义 自定义 自定义 ●交流输入电压频率：FL 50HZ或者60HZ，详见世界电网频率表。本例设计取50HZ ●开关频率：FS 大于20KHZ，常用50KHZ~200KHZ，由MOSFET芯片决定。例TOP246Y开关频率频率为66KHZ/132KHZ, 本例设计取132KHZ ●输出电压：VO，本例设计取32V ●输出电流：IO，本例设计取1.9A ●电源效率：η 低电压（5V以下）输出时，效率可取75%； 中等电压（5V到12V之间）输出时，可选80%； 高压（12V以上）输出时，效率可取85%； 可参考MOSFET芯片厂商数据手册建议，如果没有更好的参考依据，可以使用80% 本例设计