如何读懂英飞凌MOSFET datasheet.pdfVIP

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2020-06-30 发布于河北
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如何读懂英飞凌MOSFET datasheet.pdf

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Understanding Infineon Power Devices Datasheet XJ Power Technical Workshop 22th January 2015 strictly confidential Infineon MOSFET strictly confidential How to choose…package Package 1. In general  Power Dissipation (P ) D  Cooling (Rth(jc)/ Rth(ja)) 2. For HV  Creepage distance SSO8  Layout for fast switching device 3. For LV  R and L DS(on) stray  Space T T P J ,max C D R th(jc ) 2014-11-10 strictly confidential Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved. Page 3 How to define…V BR(DSS) Voltage rating, VBR(DSS)  The voltage rating is defined at room IPX60R099C6 temperature (25ﾟC). The maximum breakdown voltage of CoolMOS has strong positive temperature coefficient.  Another criteria for selecting the voltage BSC057N03MS rating of the MOSFET is the overvoltage spikes.  The maximum steady state voltage during turn–off should not exceed 70% -90% of the rated voltage 2014-11-10 strictly confidential Copyright © Infineon Technologies AG 2014. All rights reserved. Page 4 Maximum junction temperature For CoolMOS  The maximum junction temperature usually is 150 C or refer the device datasheet. IPX60R099C6 For OptiMOS  The maximum junction temperature is also 150 C or refer the device datasheet. BSC057N03MS For SiC diode  The maximum junction temperature is going to 175 C. IDH04S60C Infineon recommended 70%-90% derating factor of the maximum junction temperature when using Infineon