第四章场效应管及其基本放大电路知识课件.ppt

第4章 场效应管及其基本放大电路 ;4.1 引言;4.2 场效应管; N沟道增强型MOS管的符号如上图所示。左面的一个衬底在内部与源极相连，右面的一个没有连接，使用时需要在外部连接。; 2. N沟道增强型MOS管的工作原理; 令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。; 反型层形成后，此时若加上UDS ，就会有漏极电流ID产生。; 设UGS＞UGS(th)，增加 UDS，此时沟道的变化如下。; 当UDS进一步增加时， ID会不断增加，同时，漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断。;O;（2）转移特性曲线;O;二、 N沟道耗尽型MOSFET; N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线如右上图所示。耗尽型场效应管的转移特性曲线也可以用下式表示; 三、P沟道MOS管; 场效应三极管有二种结构形式： 1.绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)----增强型 耗尽型 2.结型场效应晶体管(JFET)------只有耗尽型 ;1. 结型场效应晶体管的结构;（1）栅源电压对沟道的控制作用;;各种场效应管符号和特性曲线比较; N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、开，表示零栅压时沟道不通。;N沟道 增强型MOSFET ;N沟道 耗尽型MOSFET ;N沟道 JFET ;① 开启电压UGS(th) (或UT)----开启电压是增强型MOS管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不导通。; ⑤ 低频跨导gm ----低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与晶体管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ;3. 极限流参数; 4. 场效应晶体管的型号;几种常用的场效应管的主要参数见下表: ;总结：;4.2.4 BJT和FET的比较; 场效应晶体管放大电路的三种组态;静态工作点偏置到具有线性特性的恒流区 场效应管是电压偏置 区分静态和动态，区分直流通路和交流通路 在进行动态分析之前，也需要先进行静态工作点的计算; 具体的偏置电路形式：场效应晶体管放大电路的电压偏置有两种形式，分压偏置和自给栅偏压。; 场效应管放大电路分压偏置; 场效应管放大电路自给栅偏压; 4.3.1 共源放大电路; 因IDQ是二???方程，需要从中确定一个合理的解。一般可根据静态工作点是否合理，栅源电压是否超出了夹断电压，漏源电压是否进入饱和区等情况来确定。; 自给偏压共源组态场效应管放大电路如图所示。建立正确的偏压就是建立正确的静态工作点，图示电路中的场效应管应该采用N沟道JFET。因为栅流等于0，所以UG=0V、US=IDR， UGSQ= -IDQR 。; 与双极型晶体管一样，可以用一个线性模型来代替场效应管，条件仍然是工作在恒流区，或是微变信号。与双极型晶体管相比，因为场效应管的栅源之间的输入电阻十分大，可视为开路。输出回路是一个受控源，即电压控制电流源VCCS，大小是 。电流源还并联了一个输出电阻rds，在双极型晶体管的简化模型中，因输出电阻rce>>R?L可视为开路，在此对于rds也应根据具体情况决定取舍。;根据微变等效电路进行求解;（2）输入电阻; 图a)电路的栅极分压电阻Rg1和Rg2经过一个较大的电阻Rg接到栅极，因栅流等于0， Rg的串入不影响栅极电位。而交流信号则经过耦合电容器直接接到栅极，它的微变等效电路如图b)所示。; （3）输出电阻;　　由以上分析可知，共源组态放大电路与共射组态放大电路有相同的基本特点：;讲解例题：例4.3.1; 1. 静态分析; 根据直流通路，可以计算出工作点的参数值:; 2. 动态分析; （2）输入电阻; （3）输出电阻;　　由以上分析可知，共漏放大电路与共集组态放大电路有相同的基本特点：;讲解例题：例4.3.2;4.3.3 共栅组态基本放大电路