电子元件失效剖析技术.pptVIP

电子元器件失效分析技术 令1.1、失效分析的基本概念 ÷1.2、失效分析的重要意义 ÷1.3、失效分析的一般程序 1.4、收集失效现场数据 1.5、以失效分析为目的的电测技术 ÷1.6、无损失效分析技术 ÷1.7、样品制备技术 1.8、显微形貌像技术 ÷1.9、以测量电压效应为基础的失效定位技术 1.10、以测量电流效应为基础的失效定位技术 1.11、电子元器件化学成份分析技术  1.1失效分析的基本概念 目的:确定失效模式和失效机理,提出纠正 措施,防止这种失效模式和失效机理重复出 现 失效模式:指观察到的失效现象、失效形式, 如开路、短路、参数漂移、功能失效等。 失效机理:指失效的物理化学过程,如疲劳 腐蚀和过应力等  ÷引起开路失效的主要原因 过电损伤、静电击穿(SEM、图示仪)、金 属电迁移、金属的化学腐蚀、压焊点脱落、 习锁效应。 其中淀积A时提高硅片的温度可以提高A原 子的晶块体积,可以改善电迁移。  典型的闩锁效应电源对地的|—V曲线  ÷引起漏电和短路失效的主要原因 颗粒引发短路、介质击穿、PN结微等离子击 穿、Si-A|互溶 A 穿钉