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宁波职业技术学院;三极管的工作状态分析
;晶体管输出特性三个区域的条件与特点:;4;5;3、饱和区：;一般规定：
当 UCE=UBE 时的状态为临界饱和（VCB=0）
当 UCE＜UBE 时的状态为过饱和；
饱和时的UCE用UCES表示，三极管深度饱和时UCES很小，一般小功率管的UCES＜ 0.3V，而锗管的UCES＜ 0.1V，比硅管还要小。;8;9;三极管工作状态分析;VB1; 如右图为三极管控制电路：
当UI低电平时， 晶体管截止
当Ui为高电平时，晶体管饱和导通。;13;总结
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