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三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是 （ C ）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、 稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的 （ A ）元素构 成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是 （ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K Ω，说明该二极管 （ C ）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、 无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是 （ A ）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多 子漂移。 6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V ＝2.1V，V E B ＝2.8V，V ＝4.4V，说明此三极管处在 （ A ）。C 1 A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿 区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流 （ C ）。 A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为 （ C ）。 A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、 仍为正弦波。 9、三极管超过 （ C ）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流I ； B、集—射极间反向 CM 击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率P ； D、管子的电流放大 CM 倍数 。  10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是 （ C ） A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集 电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集 电结正偏。 三、选择题：（每小题2分，共20分） 2 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有 （C）。 A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均 有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是 （B）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号 均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V 点电位过高，电 B 路易出现 （B）。 A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被 烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是 （B）。 A、电阻R ； B、电阻R； C、电阻R 。 B E C 5、功放首先考虑的问题是 （A）。 A、管子的工作效率； B、不失真问题； C、管子的 极限参数。 6、电压放大电路首先