金属氧化物半导体绝缘栅型场效应管全解.pptVIP

拟电子技术基础 4.3金属-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管 Metal-Oxide-Semiconductor type FET) N沟道 类别 增强型 P沟道 MOSFET N沟道 耗尽型 P沟道 增强型:vs=0时,没有导电沟道,iD=0 耗尽型:Vos=0时,存在导电沟道 上贡下贡《返回  拟电子技术基础 4.3.1N沟道增强型 MOSFET 1.结构 结构示意图 SiO2保护层 b 上贡下贡《返回  拟电子技术基础 结构与符号 由于栅极与源极、漏极均无电接 触,故称绝缘栅极,N沟道增强符 衬底 号,箭头方向表示由P指向N 在绝缘层上馈金 耗(”度低 廖铝引由漫 Drain 层 上贡下贡《返回  拟电子技术基础 2.工作原理 d 电路连接图 N 上页下页《返回  拟电子技术基础 (1)wcs=0,vs≠0 d↓i 此时不管 vns极性如 何,源极 和漏极之 间始终有 个PN结 漏极和衬底间N结反偏,漏源之间的电阻很大,没有形成导电沟道,ip=0 页下页《返回