制造工艺-CMOS集成电路原理图及版图[文字可编辑].ppt

2012 年春季 31 中北大学 P 型衬底 三极管的设计 NPN N 阱 薄氧 N+ N+ P+ 在基本 N 阱 CMOS 工艺的基 础上再加一道工序，即在 源漏扩散前加一掺杂的 P 型 扩散层 BP ，就可以制作纵 向 NPN 管，即 VNPN 。 BP C B E VNPN 垂直 NPN 2012 年春季 32 中北大学 硅芯片上的电子世界 — MOS 管 ? MOS 管：金属氧化物半导体 ? 硅芯片上的 MOS 管： 几十到几百纳米 栅 源 漏 基 2012 年春季 33 中北大学 CMOS 的设计 注： 为形成反型层沟道， P 衬底通常接电路的最低电位 (vss/gnd) 。 N 阱通常接最高电位（ vdd ）。 P 衬底 栅极 漏极 源极 基极 栅极 nmos 漏极 源极 基极 pmos 2012 年春季 34 中北大学 硅芯片上的电子世界 — 引线 ? 引线：良好导电的线； ? 硅芯片上的导线：铝或铜薄膜； 多晶硅薄膜。 2012 年春季 35 中北大学 硅芯片上的电子世界 — 引线 ? 引线：良好导电的线； ? 硅芯片上的导线：铝或铜薄膜； N 阱 P 衬底 淀积介质层 开接触孔 淀积第一层金属 2012 年春季 36 中北大学 硅芯片上的电子世界 — 引线 ? 硅芯片上的导线：铝或铜薄膜； N 阱 P 衬底 淀积介质层 开过孔 淀积第二层金属 2012 年春季 37 中北大学 版图 ：描述电子元件以及引线的形状、位置 ? 层次化； ? 方块图形； ? 与芯片加工工艺密切相关； ? 芯片加工厂只需要版图文件，不需要任何电路原理图文件。 2012 年春季 38 中北大学 如下的电路版图设计，每层的版图图形？ CMOS 标准工艺的主要层次与掩膜版 N 阱 P 衬底 2012 年春季 39 中北大学 P 衬底 N 阱 Mask 1 Nwell 2012 年春季 40 中北大学 P 衬底 N 阱 Mask 1 Nwell 2012 年春季 41 中北大学 N 阱 P 衬底 二氧化硅 隔离 Mask 2 Oxide 2012 年春季 42 中北大学 N 阱 P 衬底 二氧化硅 隔离 Mask 2 Oxide 2012 年春季 43 中北大学 N 阱 P 衬底 MOS 器件的栅极 栅极电介质层 Mask 3 PolyG 2012 年春季 44 中北大学 N 阱 P 衬底 MOS 器件的栅极 栅极电介质层 Mask 3 PolyG 2012 年春季 45 中北大学 N 阱 P 衬底 N+ Mask 4 nplus N+ N+ 2012 年春季 46 中北大学 N 阱 P 衬底 N+ Mask 4 nplus N+ N+ 2012 年春季 47 中北大学 N 阱 P 衬底 P+ N+ 漏极 源极 基极 栅极 Mask 5 pplus N+ 2012 年春季 48 中北大学 N 阱 P 衬底 P+ N+ 漏极 源极 基极 栅极 Mask 5 pplus N+ 2012 年春季 49 中北大学 N 阱 P 衬底 Mask 6 contact 2012 年春季 50 中北大学 N 阱 P 衬底 Mask 6 contact 2012 年春季 51 中北大学 N 阱 P 衬底 Mask 7 met1 2012 年春季 52 中北大学 N 阱 P 衬底 Mask 7 met1 2012 年春季 53 中北大学 N 阱 P 衬底 Mask 8 via1 2012 年春季 54 中北大学 N 阱 P 衬底 Mask 8 via1 2012 年春季 1 中北大学 第二章 制造工艺 —— CMOS 集成电路原理图及版图 2012 年春季