3.1硅晶圆制造工艺ppt课件[文字可编辑].ppt

1 硅作为集成电路半导体材料的主要原因： 1. 硅含量丰富（占地壳 27% ）； 2. 硅提纯和结晶方便； 3. 在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一 的强酸 ; 4. 硅的器件工作温度高，能达 250 ℃ ； 5 . 硅的表面能形成 牢固致密的 SiO 2 膜， SiO 2 能充当电容的电介质、扩散的隔离层、器 件表面的保护层，使器件的稳定性提高。 2 ? 1. 多晶硅原料 ? 2. 单晶硅制备 ? 3. 切割 ? 4. 研磨 ? 5. 评估 硅晶圆的制备工艺主要分五个阶段： 3 粗 硅 1. 多晶硅原料 地球中硅以硅砂（ SiO 2 ）状态存在 还原炉 SiO 2 (s) 十 2C(s) ＝ Si(s) 十 2CO(g) 纯 化 (99.999999999%) 化学法 4 化学法纯化 西 门 子 式 多 晶 硅 工 艺 盐酸法 ：粗硅与干燥氯化氢在 200 ℃ 以上反应 Si 十 3HCl==SiHCl 3 （ L ） +H 2 （ g ） （实际反应极复杂） 精馏： 将 SiHCl 3 置于蒸馏塔中 利用杂质和 SiHCl 3 沸点不同用精馏的方法分离提纯 反应得到的多晶 Si 还不能直接用于生产电子元器件，必 须将它制成单晶体 分解： 将精馏过的 SiHCl 3 置于 CVD 反应炉中 用高纯氢气还原得到多晶硅 SiHCl 3 十 H 2 == Si 十 3HCl 5 直拉法（ Czochralski 法）单晶生长 晶体主流生长技术 2. 单晶硅制备 6 晶体和坩锅彼此是相互反向运动： 熔融的单晶硅 籽晶旋转 低温 一定晶向的硅柱 7 1. 引晶： 通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化 ，并保 持略高于硅熔点的温度 ; 2. 将籽晶浸入熔体 ，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时 旋转引出晶体； 直拉法基本过程 8 3. 等径生长： 根据熔体和单晶炉情况，控制晶体等径生 长 到所需长度； 4. 收尾： 直径逐渐缩小，离开熔体； 5. 降温： 降级温度，取出晶体，待后续加工 。 9 晶体生长最大速度： 与晶体中的 纵向温度梯度、晶体的热导率 、晶体密度 等有关。 温度梯度： 提高晶体中的温度梯度，可以提高晶体生长速度； 但温度梯度太大，将在晶体中产生较大的热应力，会导致位错等 晶体缺陷的形成，甚至会使晶体产生裂纹。 10 熔体中的对流： 晶体和坩锅彼此是相互反向运动。 相反 旋转的晶体和坩埚产生对流，反向旋转 速度相差越大，对流强烈，所生长的晶 体的直径越大。但对流越强烈，会造成 熔体中温度波动，从而导致晶体中的杂 质分布不均匀。 晶体的转动速度一般比坩锅快 1-3 倍，有利于在固液界 面下方形成一个相对稳定的区域，有利于晶体稳定生长 。 11 12 一支 85 公分长，重 76.6 公斤的 8 寸 硅晶棒，约需 2 天半时间长成。 13 4. 研磨 用甘油和三氧化铝的混合液研磨 —— 抛光 14 3. 切割 15