巨磁电阻材料的性质和应用研究现状解读.ppt

TMR 效应的定性解释是 : 在隧道结中 , 磁场克服两铁 磁层的矫顽力就可使它们的磁化方向转到磁场方向 而趋于一致 , 这时隧道电阻为最小值 ; 如将磁场减少 至负 , 矫顽力小的铁磁层的磁化方向首先反转 , 两铁 磁层的磁场方向相反 , 隧道电阻为极大值。 隧道结中铁磁层磁化平行与反平行时电子隧 穿情况示意图 隧道结的优点 ① TMR 效应具有很高的磁场灵敏度 隧道结中两铁磁层间不存在层间耦合，隧道结的饱和磁场 很低，只需要一个很小磁场就可以实现两铁磁层从平行到 反平行的转变。 ② 隧道结的电阻可调且范围宽 与多层膜巨磁电阻相比，隧道结具有很高的电阻，其电阻 可以通过调整绝缘层厚度在很宽的范围内改变，有利于和 外电路实现匹配。 ③ 进入时间短 隧道巨磁电阻需要的是小电流、低电压信号 。 三、巨磁电阻的应用 ? 1 、 SV-GMR( spin valve ) 磁头和传感器 ? 2 、巨磁电阻随机存取存储器 ? 3 、其他方面的应用 SV-GMR 磁头和传感器 ? 磁头 ：硬盘中对盘片 进行读写工作的工具 ? 用线圈缠绕在磁芯上 制成的磁头 ? 通过感应旋转的盘片 上磁场的变化来读取 数据；通过改变盘片 上的磁场来写入数据 ? 磁头悬浮在高速转动 的盘片上方，而不与 盘片直接接触 35 局部磁化单元 载磁体 写线圈 S N I 局部磁化单元 写线圈 S N 铁芯 磁通 磁层 写入“ 0” 写入“ 1” I 磁记录原理 ( 写入 ) 36 磁记录原理（读出） N 读线圈 S 读线圈 S N 铁芯 磁通 磁层 运动方向 运动方向 s s t t f f e e 读出 “ 0” 读出 “ 1” 当硬盘体积不断变 小，容量却不断变 大时，势必要求磁 盘上每一个被划分 出来的独立区域越 来越小，这些区域 所记录的磁信号也 就越来越弱 。借助 “巨磁电阻” 效应， 人们才得以制造出 更加灵敏的数据读 出头，使越来越弱 的磁信号依然能够 被清晰读出，并且 转换成清晰的电流 变化 硬盘的发展 1956 IBM 的 科 学 家 Reynold Johnson 推出 的第一个硬盘配备了 50 个直径约 61 厘米的 铝合金盘片，由于磁 头灵敏度不理想，存 储容量十分有限，只 能存储 4.4 兆数据 硬盘之父 第一个硬盘 50 个盘 片 硬盘的发展 1994 IBM 的科学 家 Stuart Parkin 首 次在 HDD 中使用 了 GMR 效应的自 旋阀 (spin valve 简 称 GMR SV) 结构 的读出磁头 , 取得了 每平方英寸 10 亿位 (1Gb/inch2 ) 的 HDD 面密度世界纪 录 体积变小，容量变大 Stuart Parkin 硬盘的发展 ? 1997 年 ， IBM 生 产 出 第 一 个 应 用 “巨磁电阻”技术 的硬盘。并很快引 发了硬盘的“大容 量、小型化”革命 ? 2000 年 希捷硬盘 巨磁电阻硬盘 硬盘的发展 2001 年 ，美国 苹果 公司推出第一代硬 盘式音乐播放器， 轰动全球 今天 ，苹果公司的 新一代 iPod 播放器 容 量 高 达 160(8GB 和 16GB ) ，不管是 用来听音乐还是看 电影，存储空间都 不是问题 大家都说好！ 硬盘的发展 目前市场上 销售的最大 容量硬盘是 4TB 硬盘密度随时间的增长 硬 盘 每 英 寸 的 面 密 度 巨磁电阻位移传感器 ? GMR 传感器具有 灵敏度高、 可靠性好、测量范围宽、抗恶 劣环境、体积小 等优点 ? 位移传感器 即线性传感器， 利用巨磁电阻的高灵敏性而测 量位移的变化 ? 它的基本结构是由钉扎磁性 层（例如 Co ）、 Cu 间隔层和 自由磁性层（例如 Ni 、 Fe 等易 磁化层）组成的多层膜。由于 钉扎层的磁矩与自由磁层的磁 矩之间的夹角发生变化会导致 SV-GMR 元件的电阻值改变， 进而使读出电流发生变化 位移传感器 分辨率可达 1μm 级 巨磁电阻材料的性质与应用 研究现状 目录 ? 一、磁电阻及巨磁电阻简介 ? 二、 GRM 材料的要求及种类 ? 三、巨磁电阻的应用 ? 四、展望 一、磁电阻及巨磁电阻简介 许多导体材料的电阻是受外加磁场影响的，这种磁