金属与半导体材料电导材料物理性能.pptVIP

2.2金属材料和半导体材料的电导 1.电子电导的载流子:电子或空穴(即电子空位)。 2电子电导材料:主要发生在导体和半导体中。 3.电子的运动 1)理想晶体中:电子运动像理想气体分子在真空中的运动 样,电子运动时不受阻力,迁移率为无限大。 2)实际晶体中:周期性受到破坏,电子运动受到阻碍。电子 与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原 因之 场周期破坏的原因:晶格热振动、杂质的引入、位错和裂缝 乐动受阻的原图:电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的 电子迁移率 1、经典力学理论—导体中电子的运动 1)电子定向加速 a=eE/m 实际晶体中 电子运动会被声子、杂质、缺陷散射,使金属有电阻 电子在前进响 J迁移速度为0,外加电场使电子获得定向速度。 2)电子定向速度(实际晶体) 自由电子的平均速度 =at=tee/m 电子质量 2-为电子每两次碰撞之间的平均时间 τ为松弛时间,与晶格缺陷和温度有关,温度越高,晶体缺陷越多 电子散射儿率越大,τ越小;单位时间平均散射次数1/2r 自由电子的迁移率: 1 Ve=teem e=telm 有效电子晶格场中电子 波)迁移率 H=/E=rem*(有效电子) 有效电子m=? 大多数导体(自由电子),m2=m2 半导体和绝缘体以及部分导体,m≠me 3)晶格场中的电子迁移率H 经典理论=V/E=e/m*(有效电子) H=eT/m m决定于品格,对氧化物m一般为m的210倍:对碱性盐m=m, τ取决于散射和温度 13影响迁移率的因素 u=et/mi ●不同的半导体材料,电子和空穴的有效质量不同。 平均自由运动时间的长短是由载流子的散射的强弱来决定的。 散射越弱,T越长,迁移率也就越高 影响电子电导的控制因素-散射对自由程的影响 散射 (1)晶格散射 光学波和声学波散射。随着温度的增加 晶格振动的散射越来显著,而杂质电离的 散射变得不显著 温度越高,晶格振动越强对酸流子的晶 散射增强