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第五章 真空光电器件 5.1 光电阴极 工作基础： 基于外光电效应的光电探测器件 结构特点： 有一个真空管，其它元件都放在真空管中 分类： 光电管和光电倍增管 入射光辐射的光子能量足够大时，它和金 属或半导体材料中的电子相互作用的结果使电子从物质表面逸 出， --- 光电发射效应。 在空间电场的作用下就会形成 电流 光电发射体 ----- 能够产生光电发射效应的物体 光电阴极 ---- 应用中光电发射体常和电源的阴极相连，所以称为 光电发射效应 ---- 5.1.1 光电阴极的主要参数 1. 灵敏度 （ 1 ）光照灵敏度 在一定的白光照射下，光电阴极光电流与入射的白光光通量 之比，也称为白光灵敏度或积分灵敏度 （ 2 ）色光灵敏度 当入射光波长为某一段波长范围的光时， 光电阴极光电流与入射的光通量之比。 通过加滤光片来实现，比如蓝光灵敏度、 红光灵敏度、红外灵敏度等 （ 3 ）光谱灵敏度 确定波长的单色光照射时，光电阴极光电流与入射的光通量之 比。 2. 量子效率 ? ? ) ( N ) ( N Q P e ? ? ? ? 入射的光子数与产生的电子数之比 ? ? ) ( N ) ( N Q P e ? ? ? ? 量子效率与光谱灵敏度之间的关系 3. 光谱响应曲线 光电阴极的光谱灵敏度或量子效率与入射光波长的关系曲线 4. 热电子发射 由于电子热能较大，而可能逸出阴极表面，而产生热电子发射 室温下典型阴极每秒每平方米发射的热电子可 形成 10 -16 ~10 -17 A/m 2 的电流 对于光电测量而言是噪声 hv ) ( q ) ( I e ? ? ? ? ? ? q hc ) ( S ? ? ? 1240 ) ( S ? ? 5.1.2 光电阴极的分类 透射型： 光 通过透明介质射向光电阴极，而电子从光 电阴极的另一面发射出去 光 电子 反射型： 光照射到阴极上，电子从同一测射出 对阴极的厚度有要 求 , 不能太厚 光 电子 阴极一 般较厚 5.1.3 常用的光电阴极材料 1.Ag-O-Cs 材料 2. 单碱锑化物 3. 多碱锑化物 具有良好的可见和近红外响应 透射型： 300~1200nm ，反射型： 300~1100nm 在可见光区域灵敏度较低，所以主要用于近红外探测 紫外和可见光区的灵敏度最高 适合于测量较强的入射光 CsSb ： 锑和某一种碱金 属的化合物 锑和多种碱金属 的化合物 具有高灵敏度的宽光谱响应，红 外端可延伸到 930nm 4. 负电子亲合势光电阴极 半导体光电阴极的光电子的逸出过程， V 0 E E ? 价带 导带 E 0 E C E V E g E 0 ? th E ) E E ( E c o g ? ? ? （电子亲合势） A E P N 负电子亲合势 ---- E O E C E V E O E A E C E V 表面耗尽区 P N 0 ? 负电子亲合势 c o A E E E ? ? 加速 特点： 1 ）量子效率高 ------ 因其 逸出深度 高的多 2 ）光谱响应率均匀，且光谱响应延伸到红外 正电子亲合势光电阴 极的阈值波长为 ) nm ( E E 1240 A g 0 ? ? ? 负电子亲合势光电 阴极的阈值波长为 ) nm ( E 1240 g 0 ? ? 3 ）热电子发射小 因负电子亲合势的光电材料的禁带宽度一般比较宽 4 ）光电子的能量集中 5. 紫外光电阴极 --- “ 日”盲型光电阴极 CsTe( 长波限 0.32 μ m ） CsI （长波限 0.2 μ m) 目前比较常用的有 5.2 光电管与光电倍增管 5.2.1 光电管 阴极 K 阳极 A I Ф Φ R L U out U b ? 真空型 ? 充气型： 有 倍增作用 5.2.2 光电倍增管 光电倍增管比光电管增加的电子光学系统和电子倍增极，因 此极大地提高了灵敏度 光电倍增管 ---- 是建立在光电子发射效应，二次电子发射 效率应基础上，能将微弱光信号转换成光电子并将光电子 数目放大的真空光电发射器件。 电子光学系统 阴极 K A 阳极 μ A U 1 U 2 U 5 U 6 U 3 D 2 U 4 D 3 D 1