光电探测实验报告[汇编] .pdfVIP

精品文档 光电探测技术 实 验 报 告 班 级： 学 号： 05 姓 名：解娴 . 精品文档 实验一 光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型； 2.了解光敏电阻的基本特性； 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流，并作出 V/A 曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。 这种差别是 当增加电压时， 光敏电阻的光电流没有饱和现象， 因此，它的灵敏度正比于外加 电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同， 具有非线性的光照特性。 各种光敏电 阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明，各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 I k 式中， K 为比例系数； 是永远小于 1 的分数。 光电流 的增长落后于光通量的增长，即当光通量增加时，光敏电阻的积分 灵敏度下降。 这样的光照特性， 使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问 题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。 目前已有就像真空光电 管—样，它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。 光敏电阻的积 分灵敏度非常大， 最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到 12A ／lm ，这比普通锑、 铯 真空光电管的灵敏度高 120，000 倍。 三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图 1 接线，电源可从 +2V～+8V 间选用，分别在暗光和正常环境光照下 测出输出电压 V 暗和 V 亮。则暗电流 L 暗=V 暗/RL, 亮电流 L 亮=V亮/RL ，亮电流 与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图 1 . 精品文档 接线，分别测得偏压为 2V、4V、6V、8V、10V 时的光电流，并尝试高照度光源 的光强，测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出 V/I 曲线。 图 1 光敏电阻的测量电路 偏压 2V 4V 6V 8V 10V 12V 光电阻 I 四、实验数据 实验数据记录如下： 光电流： E/V 2 4 6 8 10 U/V 0.09 0.21 0.32 0.43